ИНФОРМАЦИОННОЕ СООБЩЕНИЕ




ИНФОРМАЦИОННОЕ СООБЩЕНИЕ



Министерство высшего и среднего специального образования Республики Узбекистан, Министерство энергетики Республики Узбекистан, Академия наук Республики Узбекистан, Ассоциация «Узэлтехсаноат», Научно-исследовательский институт физики полупроводников и микроэлектроники при Национальном университете Узбекистана, Ташкентский государственный технический университет и Филиал Федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего образования «Национальный исследовательский университет «МЭИ» в г. Ташкенте 27-28 декабря 2022 года проводят совместно II Международную научную конференцию на тему«Современные тенденции развития физики полупроводников: достижения, проблемы и перспективы».
Цель конференции: повысить уровень и качество научно-исследовательских работ, проводимых учеными-физиками Республики Узбекистан и содействовать внедрению их результатов в производство, а также установлению научных контактов между отечественными и зарубежными учеными. В связи с этим, просим вас направлять тезисы докладов в электронном виде на узбекском, русском или английском языках через официальный сайт конференции https://journal.ispm.uz/conference/Anketa.html
до 15 декабря 2022 года.

На конференцию представляются работы по следующим направлениям:



Секция 1: Теоретические и экспериментальные проблемы физики полупроводников.
Секция 2: Материалы, технологии и компоненты полупроводниковой опто-, нано- и
микроэлектроники.
Секция 3: Создание и развитие высокоэффективных технологий использования альтернативных источников энергии.
Секция 4: Взгляд молодых ученых на актуальные проблемы физики

Требования к оформлению тезисов докладов указаны в Приложении 1.



Лучшие тезисы будут опубликованы бесплатно в журнале «Физика полупроводников и микроэлектроника» НИИ физики полупроводников и микроэлектроники. Проводится «слепое» рецензирование всех тезисов докладов редакторами, положительные тезисы публикуются БЕСПЛАТНО, и каждому докладчику выдается электронный СЕРТИФИКАТ участника. Авторы научной работы несут ответственность за представленную ими информацию. Сборник материалов конференции вы можете скачать с официального сайта НИИ физики полупроводников и микроэлектроники (www.ispm.uz) после окончания конференции. Профессора, преподаватели, ученые и молодые исследователи, желающие участвовать на данной международной конференции, могут представить результаты своих научных работ по тематике конференции. Онлайн-режим конференции будет проводиться 27-28 декабря 2022 года, начало – в 10:00 часов на платформе «Zoom». Ссылка на конференцию будет отправлена на e-mail, указанный при регистрации.



КОНТАКТНЫЕ АДРЕСА КОНФЕРЕНЦИИ

Информация о конференции доступна на сайте: http://ispm.uz
Адрес: 100057, Узбекистан, Ташкент, ул. Янги Олмазар, 20.
НИИ физики полупроводников и микроэлектроники при Национальном университете Узбекистана Телефон для справок: (+998) 91 1341901 (Н.А. Тургунов).


ПРИЛОЖЕНИЕ 1


Международная научная конференция



«Тенденции развития современной физики полупроводников: проблемы, достижения и перспективы»

ТРЕБОВАНИЯ К ОФОРМЛЕНИЮ ТЕЗИСОВ ДОКЛАДОВ



Текст тезисов доклада должен быть написан шрифтом Times New Roman, 14 кегль, с межстрочным интервалом 1,15. Объем тезисов не должен превышать 3-х страниц формата А4 (210×297 мм) с полями:

сверху – 20 мм;
снизу – 20 мм;
слева – 30 мм;
справа – 15 мм.


Название тезисов доклада печатается прописными (заглавными) буквами полужирным шрифтом. Добавив интервал после абзаца названия, полужирным шрифтом печатаются инициалы и фамилия авторов (Ф.И.О. докладчика подчеркивается). Со следующей строки основным шрифтом печатается для каждого из авторов название организации с указанием города и страны. Название тезисов доклада, инициалы и фамилия авторов, информация об организации выравниваются по центру. Через интервал после последней строки основным шрифтом печатается текст тезисов доклада. Основной текст следует выровнять по ширине, оставив в первой строке абзаца отступ в 1 см. Добавив интервал после основного текста приводится список литературы по следующему образцу:

Список использованной литературы

(для статей) [1] И.О. Фамилия(-и). Название статьи. Название журнала. (Год), Номер (или Том (Номер)), с.1-10.

(для книг) [2] И.О. Фамилия(-и). Название книги. (Город, Издательство, год)