Изучение фундаментальных свойств и взаимодействия твердотельных материалов в конденсированном атомарном и молекулярном состояниях.
Исследование магнитных свойств полупроводников и квантовых материалов. Исследование магнитотранспортных явлений в конденсированных полупроводниковых структурах с кристаллической решеткой.
Квантово-механическое моделирование и расчет энергетических параметров конденсированных структур с кристаллической решеткой с ограниченным числом атомов (≤100). Выбор соответствующих оптимальных приближений и методов квантово-механических вычислений на основе анализа свойств структур кристаллической решетки.
Прогнозирование новых материалов с кристаллическими структурами путем сравнительного анализа современной квантово-механической модели и результатов экспериментальных исследований.
Мавлянов Абдулазиз Шавкатович
Ученая степень:
Email: microelectronics74@mail.ru
Усовершенствована технология «низкотемпературной диффузии» в целях легирования кремния редкоземельными элементами, в частности, гадолинием. Изучена зависимость времени жизни носителей заряда (τ) от температуры (Т) дополнительного отжига образцов. Подтверждена радиационная стойкость образцов Si
Исследованы закономерности возникновения дефектов, их деградации или превращения в другие типы дефектов в пленках LiF/Si(111).
Исследовано магнитосопротивление монокристаллического кремния с примесью марганца (Mn). Исследованы закономерности изменения магнитосопротивления кремния, легированного атомами марганца (находящимися в атомарном или молекулярном состоянии) от температуры, освещенности и электрического поля.
Выполнено квантово-механическое моделирование конденсированных структур (на примере молекулы MnBVI, встроенной в решетку монокристаллического кремния).
В ходе проведения сравнительного анализа методов квантово-механического расчета кристаллической структуры изучены ограниченный/неограниченный методы Хартри-Фока (RHF/UHF), метод функционала электронной плотности (DFT) и полуэмпирические методы.
-Sh.B. Utamuradova, A.Sh.Mavlyanov, M.K.Azizov, M.K.Haqqulov. Kislotali akkumulyatorni ishlab-chiqarishda haroratni avtomatik o‘lchash dasturi // EHM uchun yaratilgan dasturning rasmiy ro‘yxatdan o‘tkazilganligi to‘g‘risida guvohnoma № DGU 29202, 15.11.2023 y.
-O. E. Sattarov, A.Sh. Mavlyanov, A. An. Effect of Manganese Atoms on the Magnetic Properties of Silicon // Surface Engineering and Applied Electrochemistry. 2023, Vol. 59, No. 2, pp. 216–219.
-B.E. Egamberdiyev, A.Sh. Mavlyanov, Sh. Sayfulloyev. Effect of annealing on the crystal structure of CoSi2/Si (100) formed by MBE, SSE and RE epitaxy techniques// Universal Journal of Mechanical Engineering. Horizon Research (Scopus), 2019, Vol. 7, No. 7.
- U. Sharopov, B. Egamberdiev, et all. Comparative research fluorine and colloidal aggregate formation on the surface lithium fluoride thin films during electronic, ionic&thermal treatments // Vacuum, Elsevier. 2023, V.213, pp.1-10.
-M. Khaqqulov. X-ray and SEM analysis of silicon diffused with Zinc and Sulfur impurity atoms // Science and Innovation International Scientific Journal. 2023, Vol.2, No.11, pp. 88-91.
- M.K. Khaqqulov. Electrophysical properties of single crystal silicon sequentially doped with sulfur and zinc impurity atoms // Eurasian Journal of Physics, Chemistry and Mathematics. 2023, vol. 24, pp. 9-12.
- А.Ш. Мавлянов, Э.Б. Халтурсунов, М.К. Азизов, Х.Мавлонова. Исследование спектра фотопроводимости кремния, легированного серой при прямом и обратном включениях // Физика полупроводников и микроэлектроника 2019, том 1, Вып.4, стр. 56-62.
- Sh.Askarov, B.Sharipov, A.Mavlyanov, Sh.Saliyeva, D. Shukurova, D. Rasulova. Quasi-molecules of Sulphur in Silicon // 2023 IEEE 16th International conference of actual problems of electronic instrument engineering (APEIE), 1-1-12 November, 2023. Novosibirsk (Domina) Russia, p.1650-1653.
- М.К. Азизов, А.Ш. Мавлянов. Термодатчики на основе кремния с нанокластерами атомов никеля // Материалы международной научной конференции «Новые материалы и гелиотехнологии», Паркент, 2023, 15-16 мая, стр.79-81.
-А.Ш. Мавлянов, З. Умарходжаева, И. Мадреймов. Модельный расчет параметра элементарной ячейки Si2ZnS полуэмпирическим методом // Материалы международной научной и научно-технической конференции “Ресурсо и энергосберегающие инновационные технологии в литейном производстве”, Ташкент, 2023, 18-19 мая, cтр. 222-224.
- Sh. Askarov, B. Sharipov, A. Mavlyanov, Sh. Saliyeva, D. Shukurova, A. Mavlonov. Paramagnetic and ferromagnetic centers of manganese in silicon // International symposium on magnetism, Samarkand, 2023, July 2-6, Pr.120.
- Sh. Askarov, B. Sharipov, A. Mavlyanov, Sh. Saliyeva, Sh. Ibragimova. Exchange-coupled sulfur and manganese complexes in silicon // International symposium on magnetism, Samarkand, 2023, July 2-6, Pp.99.
-Н.А. Тургунов, Р.М. Турманова, Н.Б. Хайтимметов, С.Р. Эгамов. Изучение электрических параметров образцов n-Si
- S.Z. Zaynabidinov, N.A. Turgunov, R.M. Turmanova, N.B. Xaytimmetov. Formirovaniye primesnыx skopleniy v obrazsax n-Si
- “Kvant mexanik modellashtirish va hisoblash usullari”, “Elektronika va asbobsozlik” ta’lim yo‘nalishidagi o‘quv moduli bo‘yicha masofaviy ta’lim uchun o‘quv-uslubiy ta’minot, 2022 y.
Термостат
TERMOTEST-100
Для целей поддержания температуры на определенном уровне во время проверки и калибровки термопар, термометров и датчиков температуры, используемых в научных исследованиях
Диапазон измерения термометра колеблется от –50°С до +200°С, а точность измерения составляет ±0,05°С. Служит для измерения температурной зависимости электрофизических параметров (Eg, , , , n, τ) полупроводниковых материалов.
Для стабильного обеспечения постоянным током (3А, 15 В) электронных схем, собранных для измерения электрофизических параметров полупроводниковых материалов и измерения вольтамперных характеристик
Для ремонта электронных схем в лабораторных приборах, пайки электронных компонентов и различных других материалов.
Для широкого спектра измерений: напряжения, частоты, времени задержки, формы сигнала и других параметров в устройствах измерения электрофизических параметров полупроводниковых структур