НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ

flag

Лаборатория полупроводниковое материаловедение

  • Главные
  • Полупроводниковое материаловедение

Заведующий лабораторий:
Хайдаров Зокиржон
- Кандидат физико-математических наук
e-mail: zokir_nursuh@mail.ru

Научные направление лаборатории:

  • - Разработаны технологические режимы создания фотоприемников для полупроводниковой ионизационной фотографической камеры на основе кремния, легированного платиной для фотографирования объектов излучающих инфракрасных излучений от 0.9-4.2 мкм;
  • - Разработаны технологические режимы создания фотоприемников для полупроводниковой ионизационной фотографической камеры на основе кремния, легированного платиной для фотографирования объектов излучающих инфракрасных излучений от 2.4-6.9 мкм;
  • -Теоретически исследованы зависимости предельной низкой мощности инфракрасного излучения от положения уровня Ферми для фотоприемников из SiPt и Si S, а также от рабочей температуры газоразрядной ячейки;
  • -Исследованы физические свойства на контакте полупроводник – плазма газового разряда в тонкой газоразрядной ячейке;
  • - Теоретически исследованы оптимальные режимы легирования фотоприемника в зависимости положения уровня Ферми от граничной длины волны инфракрасного излучения и граничной энергии эмиттерного уровня;
  • - Теоретически и экспериментально исследованы зависимости темнового и фототока от рабочей температуры фотоприемника из Si Pt

Информация об основных публикациях лаборатории

2021 год

1. Далиев Х.С., Хайдаров З., Йулдашев Х.Т., Юлдашев Н.Х. Неравновесные процессы на контакте полупроводник – плазма газового разряда. Физики полупроводников и микроэлектроники, Ташкент, 2019, т. 1, в. 4, С. 22-29
2. Хайдаров З., Йулдашев Х.Т. Новый фотографический эффект в сверхтонкой газоразрядной ячейке с полупроводниковым электродом. Прикладная физика. 2016. №5. С.75-80.
3. Хайдаров З., Йулдашев Х.Т., Хайдарова К.З. Высокочувствительная полупроводниковая ионизационная фотографическая камера для инфракрасного диапазона. Прикладная физика. 2017. №1. С.65-68. 4. Далиев Х.С., Утамурадова Ш.Б., Хайдаров З. Исследование фотоэлектрических свойств газоразрядной ячейки с фотоэлектродами на основе арсенида галлия и кремния с плазменными контактами. «Тенденция развития современной физики полупроводников: проблемы, достижения и переспективы». Сборник материалов международной научно-рецензируемой онлайн конференции, 4-часть, Стр. 19-25, г. Ташкент, 28 мая 2020 г.
5. Хайдаров З., Йулдашев Х.Т. Исследование кинетика пробоя в газоразрядной ячейке с полупроводниковым электродом. Материалы V международной конференции по оптическим и фотоэлектрическим явлениям в полупроводниковых микро- и наноструктурах, Фергана, стр. 384-387, 13.11.2020, 426 с.
6. Физические свойства на контакте полупроводник – плазма газового разряда в тонкой газоразрядной ячейке (направлены Письма ЖТФ).
7. Исследование тонкой газоразрядной ячейки на основе монокристаллического теллурида кадмия (направлены в Научно-технический журнал ФерПИ).


Отзывы [0]

Оставьте комментарий