Разработка новой технологии создания термостабильных фотоприемников на основе структур из кремния и соединений CdTe, CdS, ZnCdTe и широкозонных полупроводниковых оксидных пленок SnO2, In2,O3, ITO, CdO и Mo2O3;
Создание конструкции устройства (агрегата) и его образца для реализации новой технологии газофазной эпитаксии;
Создание фотоприемника ближнего ультрафиолетового и инфракрасного сигналов на основе кремния n- и p-типа, легированного редкоземельными элементами;
Создание фотодетекторных структур чувствительных в широком диапазоне спектра (350÷1450) нм на основе пленок кремния n- и p-типа, легированного Mo, Ta, Gd и нанокомпозитных соединений на основе оксидов металлов;
Создание светочувствительных диодных структур на основе теллурида кадмия и его тройных соединений с широкополосными прозрачными оксидными слоями n-типа SnO2, In2, O3, ITO, CdO, MoO3, полученных газотранспортным методом;
Разработка схемы и программы центрального микропроцессорного электронного блока, предназначенного для обработки, анализа и сравнения сигналов от барьерных датчиков Шоттки с индикаторами и исполнительными устройствами .
Музафарова Султанпаша Анваровна
Ученая степень:
Электронная почта: samusu@rambler.ru
Создана отдельная технологическая установка для выращивания полупроводниковых структур многокомпонентных соединений методами химической молекулярной пучковой и газотранспортной реакций;
Разработана технология получения поликристаллических пленок CdTe с оптимальными выходными параметрами методами газотранспортной реакции в потоке водорода, методами магнетронного ионного распыления и вакуумного нанесения;
Оптимизированы технологические параметры для создания совершенных пленок CdTe с востребованными параметрами для формирования ряда фотоприёмных структур, таких как гетероструктуры Шоттки, MДП, ПДП, MOП, CdTe/CdS;
Создана возможность получения устойчивых к внешним воздействиям структур ПДП на основе поликристаллического теллурида кадмия типа SnO2/CdTe, ITO/p-CdTe, CdO/CdTe, охватывающих широкий диапазон фоточувствительности к солнечному излучению;
Получены режимы образования оксидного диэлектрического слоя TeO2 на границе раздела поликристаллической пленки CdTe и верхнего электрода окислением обогащенных атомов Te при осаждении на пленки CdTe прозрачных слоёв оксидов металла с широкой запрещенной зоной SnO2, In2O3, ITO, CdO;
При воздействии γ-облучения наблюдалось расширение толщины высокоомного промежуточного слоя d на границе раздела структур Барьер Шоттки, MДП, ПДП и гетероструктурных солнечных элементах CdTe/CdS;
Созданы селективные диодные устройства на основе 2- и 3-компонентных соединений, предназначенных для широкого и ультрафиолетового диапазона светового спектра;
На установке химического молекулярно-пучковой реакции выращены многокомпонентные структуры соединений CdSx ZnS1-x, Sb2Se3, Cu2 NiSnS4;
Установлена связь между технологическими параметрами процесса осаждения пленок CdSxZnS1-x, Sb2Se3, Cu2NiSnS4 и их кристаллографическими, морфологическими, оптическими и электрофизическими свойствами;
Установлено, что пленки CdSx ZnS1-x, Sb2Se3, Cu2NiSnS4 образуют непрерывные твердые растворы в диапазоне 0≤x≤1,0;
В области содержания Sb2Se3 пленки имеют поликристаллическую орторомбическую структуру а пленки CdS1-xTex имеют поликристаллическую кубическую структуру;
По типу проводимости пленок CdS1-xTex определена область инверсии структуры пленок.
-1. Sh.B. Utamuradova, S.A. Muzafarova. Установка способ получения тонких плёнок CdTe в квазизамкнутом объеме // O‘zbekiston Respublikasi Adliya vazirligi foydali model patenti. FAP 2022 0427/4. Toshkent. 06.01.2023 y.
-2. Sh.B. Utamuradova, S.A. Rahmonov, S.A. Muzafarova, Z.M. Xusanov, F.A. Saparov. Haroratni nazorat qilish o'lchov asbobi tizimining kompleks dasturi // Elektron xisoblash mashinalari uchun yaratilgan dasturning rasmiy ro’xatdan o’tkazilganligi to’g’risidagi Guvohnoma №DGU 27702, 27.09.2023 y.
-3. X.S. Daliyev, Z.M. Xusanov. Kremniyga temir va vanadiy kirishma atomlarini diffuziya jarayonida taqsimotini hisoblash dasturi // Elektron xisoblash mashinalari uchun yaratilgan dasturning rasmiy ro’xatdan o’tkazilganligi to’g’risidagi Guvohnoma №DGU 23645, 20.02.2023 y.
-4. Ш.Б. Утамуратова, С.А. Музафарова. Свойства тонких фоточувствительных пленок теллурида кадмия и физико-технологические основы их получения, Монография, «Poligraf Super Servis» нашриёти, 2023, 625 б.
-5. Ш.Б. Утамуратова, С.А. Музафарова. Исследование свойств поликристаллических плёнок и фоточувствительных структур на основе теллурида кадмия, Монография, «Тошкент» нашриёти, 2023, 230 б.
-6. T.M. Razykov, J. Bekmirzoev, A. Bosio, B.A. Ergashev, D. Isakov, R. Khurramov, K.M. Kouchkarov, M.A. Makhmudov, A. Romeo, N. Romeo, M.S. Tivanov, Sh.B. Utamuradova, D.S. Bayko, L.S. Lyashenko, O.V. Korolik, A.A. Mavlonov. Structural and optical properties of SbxSey thin films obtained by chemical molecular beam deposition method from Sb and Se precursors // Solar Energy 2023, 254. pp. 67–72. https://doi.org/10.1016/j.solener.2023.03.010. (Scopus, Q1)
-7. T.M. Razykov, K.M. Kuchkarov, M.S. Tivanov, D.S. Bayko, L.S. Lyashenko, B. A. Ergashev, A. Mavlonov, A.N. Olimov, R. Khurramov, D.Z. Isakov, M. Pirimmatov, Characteristics of thin Sb2Se3 films obtained by the chemical molecular beam deposition method for thin-film solar cells // Thin Solid Films, 2023, 774. pp. 139844. https://doi.org/10.1016/j.tsf.2023.139844, (Scopus, Q2).
-8. T.M. Razykov, M.S. Tivanov, K.M. Kuchkarov, D.S. Bayko, I.A. Kaputskaya, R.T. Yuldoshov, A.N Olimov, Effect of the Sb/Se ratio on the structural and electrical properties of Sb2Se3 films // Applied Solar energy. 2023, №5. pp. 105-111.
-9. T.M. Razykov, M.S. Tivanov, K.M. Kuchkarov, R.T. Yuldoshov, R. Khurramov, S. Muzafarova, D.S. Bayko, Study of the structural and optical properties of thin SbXSeY films obtained at a substrate temperature of 400 0C // Applied Solar energy 2023, №6, pp. 145-121.
-10. Sh.Kh. Daliev, F.A. Saparov. On the properties of the Si-SiO2 transition layer in multilayer silicon structures // East Eur. J. Phys. 2023, №4, pp. 206. https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-4-25 (Web of Science & Scopus Q4)
-11. A.S. Achilov, Sh.B. Utamurodova, S.A. Muzafarova, R.R. Kabulov. Effect of temperature on the current transfer mechanism in the reverse I–V characteristics of the n-CdS/i-CdSxTe1−x/p-CdTe heterostructure // Modern Physics Letters B, 2023, №6, pp. 80-85. doi.org/10.1142/S0217984923501622
-12. Sh.B. Utamuradova, Kh. S. Daliev, S.A. Muzafarova, K.M. Fayzullaev. Effect of the diffusion of copper atoms in polycrystalline cdte films doped with pb atoms // East European Journal of Physics 2023, №3, pp. 385–390. DOI: https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-3 (Web of Science & Scopus Q4)
-13. Х.С. Далиев, Ш.Б. Утамурадова, З.М. Хусанов Изучение температурных свойств структур кремния легированного примесными атомами ванадия // Приборы. 2023. № 2 (272), стр. 25-28.
-14. X.S. Daliyev, Z.M. Khusanov Formation and study of the properties of the compound of iron disilicide in single-crystal silicon // World Journal of Engineering Research and Technology WJERT, 2023, Vol. 9, Issue 7, pp. 38-42.
-15. Т. М. Разыков, С. А. Музафарова, К. М. Кучкаров, М. С. Тиванов, Д. З. Исаков, З. Махмудов, М. Пиримметов, Д. С. Байко, Л. С. Ляшенко. морфологические свойства пленок твердого раствора Sb2 (Sx, Se1-x)3 для солнечных элементов // УФЖ. 2023, стр. 204-210.
Устройство позволяет осуществлять постоянный контроль высокой температуры (≈1600°С) в тигле для плавки свинца.
Способом транспортировки инертного газа в устройстве выращиваются твердые сплавы CdTe, ZnCdTe и ZnxCd1-xS, ZnxCd1-xTe, Su2 S-Znx Cd1-xS.
С помощью установки методом молекулярно-пучкового нанесения выращиваются многокомпонентные структуры соединений CdSxZnS1-x, Sb2 Se3, Cu2NiSnS4.