НИИ Физики полупроводников и микроэлектроники При национальном университете имени Мирзо Улугбека

flag

Лаборатория "Теоретическая физика конденсированных сред"

  • Главные
  • Теоретическая физика конденсированных сред

Информация о штатных сотрудниках лаборатории

Заведующий лабораторий:


Аюханов Рашид Ахметович
– диплом о высшем образовании по специальности «Физика» (1969 – 1975 гг., Национальный университет Узбекистана им. Мирзо Улугбека)
– кандидат физико-математических наук» по специальности 01.04.07 Физика твердого тела (1991 г.)
– доктор физико-математических наук» по специальности 01.04.07 Физика твердого тела (2011 г.).
– ученое звание «Старший научный сотрудник» (2012 г.). e-mail: аlia52@bk.ru

Лаборант:


Наурзалиева Эльмира Махамбетяровна
– степень бакалавра (Bachelor degree) по специальности «Физика» (2010 – 2014 гг., Национальный Университет Узбекистана имени Мирзо Улугбека);
– степень магистра (Master degree) по специальности «Гелиофизика и использование солнечной энергии» (2015 – 2017 гг., Национальный Университет Узбекистана имени Мирзо Улугбека). e-mail: f1005@mail.ru

Базовый Докторант:


Турманова Раймаш Махмутовна
– степень бакалавра (Bachelor degree) по специальности «Физика» (2013 – 2017 гг., Каракалпакский государственный университет);
– степень магистра (Master degree) по специальности «Физика и материаловедение конденсированных сред» (2017 – 2019 гг., Каракалпакский государственный университет). e-mail: f1005@mail.ru

Лаборант:


Шерназаров Нурмухамад Улугбек-угли
– степень бакалавра (Bachelor degree) по специальности «Физика» (2016 – 2020 гг., Национальный Университет Узбекистана имени Мирзо Улугбека);
– магистрант 1 года обучения кафедры (Master degree) по специальности «Физики полупроводников и полимеров» Национального Университета Узбекистана имени Мирзо Улугбека).
e-mail: nurmuhammadshernazarov@gmail.com

Лаборант:


Фармонов Сарвар Гулам угли
– степень бакалавра (Bachelor degree) по специальности «Физика» (2016 – 2020 гг., Национальный Университет Узбекистана имени Мирзо Улугбека);
– магистрант 1 года обучения кафедры (Master degree) по специальности «Физики полупроводников и полимеров» Национального Университета Узбекистана имени Мирзо Улугбека).
e-mail:

Научные направление лаборатории:

  • – построение теории процессов дефектообразования в полупроводниках и других твердых телах, теоретическое прогнозирование состояния и поведения примесных и дефектных центров в полупроводниках, определение их основных параметров;
    – построение общей теории образования глубоких центров в полупроводниках и других твердых телах, в том числе глубоких центров, стимулированных примесями переходных металлов.
    - изучение инжекционных процессов в полупроводниках с глубокими примесями и в полупроводниках со сложным примесным спектром;
    - построение теории фотопроводимости в системах с квантовыми нановключениями с шириной запрещенной зоны как меньшей, так и большей, чем в основном материале;
    - создание теории акустооптических процессов вблизи резонансов при переходах на глубокие уровни и вблизи квазичастичных резонансов, и теории воздействия на эти процессы поляритонных и поляронных эффектов;

Информация об основных научных результатах лаборатории

1. В лаборатории теоретически предсказан эффект возникновения ненулевой скорости биполярного распространения связанных в пакет электронов и дырок в нанопленках с квазигиперболически изменяющейся толщиной.

Эффект заключается в следующем. Рассматривается биполярное распространение инжектированных светом носителей в квантовых нанопластинках с нанотолщиной, изменяющейся по квазигиперболическому закону (см. Рис.1). Были получены уравнения непрерывности для электронов и дырок в таких нанообъектах, совместное решение которых демонстрирует возникновение амбиполярного пакета электронов и дырок. Показано, что в случае электронной или дырочной проводимости для таких нанообъектов, соблюдается та же закономерность, как и в объемном кристалле – скорость пакета определяют неосновные носители, однако в роли электрического поля выступают встроенные поля, задаваемые уменьшением толщины квантовой ямы. В случае собственного полупроводника, в отличие от объемного случая в дрейфовом режиме, когда пакет имеет нулевую скорость, электроны и дырки, составляющие пакет, движутся с ненулевой скоростью, определяемой как встроенными полями, так и подвижностями электронов и дырок. .

2. Произведен аналитический расчет фотопроводимости систем с нановключениями.

Были исследованы особенности возникновения фотопроводимости в структурах с нановключениями, имеющими ширину запрещенной зоны большую, чем ширина запрещенной зоны основного материала (Рис.2). Рассмотрены структуры, когда такие нановключения расположены периодически и находятся на равных нанорасстояниях друг от друга. Показано, что промежутки между нановключениями могут образовывать квантовые ямы. Выведены аналитические выражения для вычисления фототока и удельной фотопроводимости в таких структурах.

Рис. 1. Квантовая нанопластинка с изменяющейся толщиной и энергетическая ширина запрещенной зоны в зависимости от его нанотолщины.

Рис. 1. Структура с нановключениями, имеющими ширину запрещенной зоны, большую, чем ширина запрещенной зоны основного материала структуры.

Информация об основных публикациях лаборатории

2021 год

1. Утениязов А.К., Лейдерман А.Ю., Аюханов Р.А., Нсанбаев М.Т., Есенбаева Э.С. Фотоэлектрическое инжекционное усиление инжекционного фотодиода на основе крупноблочных пленок CdTe при освещении “примесным” светом.//Тенденции развития науки и образования. 2020, №61, Часть 1, с. 21-23.
2. Утениязов А.К., Лейдерман А.Ю., Аюханов Р.А., Нсанбаев М.Т., Есенбаева Э.С. Фотоэлектрическое инжекционное усиление инжекционного фотодиода на основе крупноблочных пленок CdTe при освещении “собственным светом..// Вестник Ошского государственного университета 2020 ISSN 1694-7452 1. Серия “Физика, математика, информационные технологии, экономика, технические науки” с.67-74.
3. Uteniyazov A.K., Leyderman A.Yu., Аюханов Р.А., Esenbaeva E.S., Gafurova M.V. Features of Current Transport in Al-Al2O3-pCdTe-Mo-Structure. Semiconductor Physics.// Quantum Electronics &Optoelectronics,2020.vol.23,No.4.pp.95-101. https://doi.org/10.15407/spqeo 23.04.95. 1. Рахматуллаев М.Р., Рахматуллаев И.А., Илясов Б.К., Туляганова Ш.А. Проблемы разработки нормативно-правовых документов для системы высшего образования научно обоснованных с учетом требований государства и общества, рынка труда, и пути их внедрения. Материалы VІII Международной научно-практической конференции «GLOBAL SCIENCE AND INNOVATIONS 2020: CENTRAL ASIA» 29 февраля 2020 года, Нур-Султан (Астана), Казахстан, С.76-80.
4. Турсункулов О.М., Рахматуллаев И.А., Горелик В.С., Тукфатуллин О.Ф., Назаров Х.Т., Курбонов А.К. Фотолюминесценция микропорошков диоксида титана при импульсно-периодическом лазерном возбуждении Материалы V Международной конференции по Оптическим и фотоэлектрическим явлениям в полупроводниковых микро- и наноструктурах 13-14 ноября 2020 г. Фергана, С.94-97.
5. Рахматуллаев И.А., Горелик В.С., Тукфатуллин О.Ф., Турсункулов О.М., Рахматуллаев М.Р., Курбонов А.К. Структурные и люминесцентные свойства микропорошков оксида цинка. Материалы V Международной конференции по Оптическим и фотоэлектрическим явлениям в полупроводниковых микро- и наноструктурах 13-14 ноября 2020 г. Фергана, С.98-100.
6. Аюханов Р.А., Овчаренко В.С. Биполярные процессы в нанопластинках с линейно изменяющейся толщиной. Материалы V Международной конференции по Оптическим и фотоэлектрическим явлениям в полупроводниковых микро- и наноструктурах 13-14 ноября 2020 г. Фергана, С.89-81.
7. Аюханов Р.А., Овчаренко В.С. Методические основы расчета фототока в системах с периодически расположенными квантовыми точками. Материалы V Международной конференции по Оптическим и фотоэлектрическим явлениям в полупроводниковых микро- и наноструктурах 13-14 ноября 2020 г. Фергана, С.81-83.
8. Аюханов Р.А., Фармонов С.Г., Шерназаров Н.У. О линейной варизонности в пластинках с переменной нанотолщиной. Материалы Республиканской конференции “Роль одаренной молодежи в развитии физики”. 26-27 марта 2021 г. Ташкент. С.42-44.
9. Лейдерман А.Ю., Турманова Р.М. О возможности развития эффекта инжекционного обеднения в полупроводниках с одним рекомбинационным уровнем. Материалы Республиканской конференции “Роль одаренной молодежи в развитии физики”. 26-27 марта 2021 г. Ташкент. С.93-95.