Лаборатория физика полупроводников

  • img
  • img
Научные направления лаборатории:

-Экспериментальные исследования процессов термического и радиационного дефект ообразования на поверхности и в объеме монокристаллического кремния и других полупроводниковых материалов
-Исследование процессов образования дефектных центров в кремнии, легированном р азличными примесями, и установление механизмов образования и развития дефектной стр уктуры монокристаллического кремния в присутствии различного рода примесей и воздействии различных внешние факторы.
-Исследование процессов дефектообразования в монокристаллическом кремнии с примесно-дефектные ассоциаты при взаимодействии атомов легирующих компонентов дефектами кристаллической решетки и влиянием различных внешних и внутренних факторы.
-Разработка методов нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней и создание спектрометра DLTS, работающего при постоянном напряжении и режимы постоянной емкости.
-Экспериментальное исследование спектров фотопроводимости природных наноструктурированных полупроводниковые волокна и определение дискретных уровней энергии. .
-Экспериментальное исследование спектров фотолюминесценции ВА и композита материалы на их основе.
-Исследование возможности создания диодных структур на основе композита материал хлопковое волокно токопроводящий полимер.
-Разработка и создание цифрового влагомера на основе полупроводника материалы.

2019
Сведения об основных научных результатах лаборатория

-Технологические режимы создания наноразмерных дефектов примесями переходные элементы (d-элементы) в приповерхностных слоях и в объеме Si были разработаны. Технология изготовления диодных структур легированных примесями d-элементов. Физико-химический определены аспекты легирования Si примесями d-элементов.
-Процессы дефектообразования в кремнии, легированном Co, Cr, Ni, V и др. исследованы методами емкостной и инфракрасной спектроскопии. Это было установлено, что введение этих примесей в Si приводит к образование серии глубоких уровней с фиксированными энергиями ионизации и носителями снимать поперечные сечения.
-Обнаружено, что концентрация глубинных центров НГХ, создаваемых примесей d-элементов, сильно зависит от температуры диффузии (Tdif.) И скорость охлаждения (охлаждения) после него: чем выше Tdiff и прикольно., тем более НГХ.
-Влияние термообработки на развитие дефекта структура Si, легированного Co, Cr, Ni, V и др., при выращивании из расплава, было исследовано. Установлено, что примеси d-элементов вносятся в Si при его росте электрически нейтральны. Показано, что высокотемпературная обработка в диапазоне 1000 ÷ 1200оС этих образцов приводит к активации атомов Co, Cr, Ni, V и др. с образованием глубинные уровни, параметры которых совпадают с параметрами ЗГ в диффузионно-легированные образцы.
-Установлено, что при обработке лазерным излучением легированного n-Si во время рост приводит к активации атомов Cr с образованием двух ГЗ. Это показано, что увеличение концентрации глубоких уровней хрома наблюдается при увеличении энергии лазерного излучения. Подобный эффект наблюдалось и с другими исследованными примесями.
-Влияние термообработки на развитие дефекта структура Si, легированного Co, Cr, Ni, V и др., при росте из расплава расследовано. Установлено, что примеси d-элементов, введенные в Si при его росте электрически нейтральны. Показано, что высокотемпературная обработка в диапазоне 1000 ÷ 1200оС этих образцов приводит к активации атомов Co, Cr, Ni, V и др. с образованием глубинные уровни, параметры которых совпадают с параметрами ЗГ в диффузионно-легированные образцы.
-Установлено, что при обработке лазерным излучением легированного n-Si во время рост приводит к активации атомов Cr с образованием двух ГЗ. Это показано, что увеличение концентрации глубоких уровней хрома наблюдается при увеличении энергии лазерного излучения. Подобный эффект наблюдалось и с другими исследованными примесями.
-Изучены также процессы образования радиационных дефектов. на примере ванадия в n-Si. Показано, что наличие V примесь в кремнии замедляет образование А-центров и предотвращает введение E-центров в Si.
-Влияние предварительной термообработки на поведение примеси трехмерных элементов, специально введенные для модификации свойств Si, был исследован. Взаимодействие атомов 3d-элементов с технологические примеси - кислород и углерод в Si, которые всегда присутствуют в кристаллической решетке в высоких концентрациях.
-Взаимодействие изовалентной примеси Ge с атомами Ni в Si учился. Установлено, что присутствие атомов Ge в объеме Si повышает эффективность образования глубоких центров, связанных с Ni в Си. Установлено, что в присутствии атомов Ge низкотемпературные отжиг глубоких центров Ni происходит в 3-4 раза медленнее по сравнению с образцами Si.
-Процессы дефектообразования в кремнии, легированном Sn и Mn, и их взаимодействие с неконтролируемыми примесями исследовано инфракрасным спектроскопия. Установлено, что наличие примесей переходного и изовалентных элементов приводит к снижению концентрации технологических примеси - кислород и углерод. Установлено, что введение Mn в Si приводит к сильному снижению концентрации межузельного оптически активный кислород NOopt: в быстроохлажденных образцах Si наблюдается уменьшение в NOopt наблюдается на 50% по сравнению с исходным Si.

2019-2021
Информация об основных лабораторных публикациях

1. Ш.Б. Утамурадова, З.О. Олимбеков, Ж.Ж.Хамдамов, К.М. Файзуллаев. Влияние низкотемпературных обработок на поведение глубоких уровней в кремнии, легированном платиной. Физика полупроводников и микроэлектроника, № 5 (2019), с. 36-40. 10–20.
2.Ш.Утамурадова, С.С. Насриддинов, Ш.Исмоилов. Электрофизические свойства кремния, легированного примесью никеля, с использованием Диффузионный метод. Международный журнал новых тенденций в инженерии Исследовательская работа. Том 8.№. 7, июль 2020 г., стр. 3513-3518. (СКОПУС)
3. Ш.Б.Утамурадова, Ш. Х. Далиев, Ю.Р. Равшанов, К.М. Файзуллаев. Особенности образования примесно-дефектных центров в Кремний, легированный хромом. Международный журнал новых тенденций в Инженерные исследования, Том 8, № 9, 2020, стр. 5506-5509. (СКОПУС)
4. Утамурадова Ш.Б., Олимбеков З., Равшанов Ж.Р. Дефект образование в кремнии, легированном платиной. Труды Республиканской Научная конференция «Современные проблемы физики полупроводников», Ташкент, 2018, с. 94-96.
5. Ш.Б.Утамурадова, Р.М. Эргашев, Х. Матчанов. ИК спектроскопия кремния, легированного оловом и марганцем. Материалы Республиканская научная конференция «Современные проблемы физики полупроводников», Ташкент, 2018, стр.106-107.
6. А.Т.Мамадалимов, А.С. Закиров, И.Х. Хамиджонов. Модификация электрических и оптических свойств природных наноструктурированные полупроводниковые волокна. "Физика веера ривожида истедодли Ёшларнинг ўрни" маусусидаги РИАК. 2020 йил 17-18 апреля, г.Тошкент УзМУ. с. 318.
7.Ш.Х.Далиев, А.Рахимов, А.Мухтаров, А.Д.Палуанова. Взаимодействие примесей тугоплавких элементов с кислородом в кремнии "ФИЗИКА фаннинг риводжида истедодли ёшларнинг о'рни" мавсусидаги РИАК. 2020 17-18 апреля, Ташкент УзМУ. стр.328.
8. С.С.Насриддинов, Д.М. Эсбергенов Электрофизические свойства кремния, легированного цинком и никелем» Физика веера ривожида истедодли ёшларнинг ўрни. РИАК-XIII-2020 Республика ильмий анжумани материалари. 17-18 апреля 2020 г. УзМУ г.Тошкент. из. 308-311.
9. С.С.Насриддинов, Д.М. Эсбергенов, Ш.А. Исмаилов, М.И. Маннанов Фотоэлектрические свойства кремния, легированного переходными элементами Сборник докладов международной научной конференции «Наноструктурированные полупроводниковые материалы в фотовольтаике» Ташкентский ТГТУ 2020, 9-10 октября. из. 401-403.
10. Ш.Б.Утамурадова, Равшанов Ж.Р., Рахманов Д.А. Влияние лазерного излучения на поведение атомов кобальта в кремнии. В Международная конференция «Оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниковые микро- и наноструктуры», 13-14 ноября 2020 г.
11. Утамурадова Ш.Б., Файзуллаев К.М., Юлдошев Ю. Процессы примесное взаимодействие в кремнии, легированном хромом и гольмием. 7-й Международная конференция.
12. Утамурадова Ш.Б., Файзуллаев К.М., Юлдошев Ю. Полупроводники, микро- и наноэлектроника: перспективы интеграции науки, образования и промышленности. Материалы республиканской научной конференция. 2021, 21-22 мая.

2019
Ассистенты

1. доктор физико-математических наук, проф. Утамурадова Ш.Б. (Научный руководитель проекта ОТ-Ф2-11)
2. д.т.н., доц. Насриддинов С.С. (Научный руководитель проекта ОТ-Ф-2-79)
3. Доктор физико-математических наук, доцент Профессор, Тургунов Н.А. (Член ВТК)
4. д.ф.-м.н., проф., акад. Мамадалимов А.Т. (Член ВТК)
5. Доктор физико-математических наук, проф. Далиев Х.С. (Член ВТК)
6. Доктор физико-математических наук, проф. Абдурахманов К.П. (Член ВТК)
7. Доктор физико-математических наук, проф. Эгамбердиев Б.Э. (Член ВТК)
8. д.ф.-м.н. Далиев Ш.Х. (Член ВТК)
9. Кандидат наук. Хакимов А.А. (Член ВТК)
10. Кандидат наук. Хамиджанов И.Х. (Член ВТК)
11. к.ф.-м.н. Олимбеков З.О. (Член ВТК)
12. Норкулов Ш.Б. (Член ВТК)
13. Файзуллаев К.М. (базовый докторант 3 курс)
14. Еруглиев Ю.К. (Базовый докторант 3 курс)
15. Палуанова А.Д. (Базовый докторант 3 курс)
16. Эсбергенов Д.М. (базовый докторант 3 курс)
17. Хусанов З. (Базовый докторант 3 курс)
18. Наурзалиева Е.М. (Базовый докторант 2 курс)
19. Беркинов Э.Х. (базовый докторант 2 курс)
20. Рахманов Д.А. (базовый докторант 2 курс)
21. Эргашев Ж.А. (базовый докторант 2 курс)
22. Юлдашев Ю. (Магистр 2 курса)
23. Соатов А.К. (Магистр 1 курс)
24. Жаббаров Ю.Б. (Магистр 1 курс)
25. Расулов ​​Ш.З. (Магистр 1 курс)