-Технологические режимы создания наноразмерных дефектов примесями переходные элементы (d-элементы) в приповерхностных слоях и в объеме Si были разработаны. Технология изготовления диодных структур легированных примесями d-элементов. Физико-химический определены аспекты легирования Si примесями d-элементов.
-Процессы дефектообразования в кремнии, легированном Co, Cr, Ni, V и др. исследованы методами емкостной и инфракрасной спектроскопии. Это было установлено, что введение этих примесей в Si приводит к образование серии глубоких уровней с фиксированными энергиями ионизации и носителями снимать поперечные сечения.
-Обнаружено, что концентрация глубинных центров НГХ, создаваемых примесей d-элементов, сильно зависит от температуры диффузии (Tdif.) И скорость охлаждения (охлаждения) после него: чем выше Tdiff и прикольно., тем более НГХ.
-Влияние термообработки на развитие дефекта структура Si, легированного Co, Cr, Ni, V и др., при выращивании из расплава, было исследовано. Установлено, что примеси d-элементов вносятся в Si при его росте электрически нейтральны. Показано, что высокотемпературная обработка в диапазоне 1000 ÷ 1200оС этих образцов приводит к активации атомов Co, Cr, Ni, V и др. с образованием глубинные уровни, параметры которых совпадают с параметрами ЗГ в диффузионно-легированные образцы.
-Установлено, что при обработке лазерным излучением легированного n-Si во время рост приводит к активации атомов Cr с образованием двух ГЗ. Это показано, что увеличение концентрации глубоких уровней хрома наблюдается при увеличении энергии лазерного излучения. Подобный эффект наблюдалось и с другими исследованными примесями.
-Влияние термообработки на развитие дефекта структура Si, легированного Co, Cr, Ni, V и др., при росте из расплава расследовано. Установлено, что примеси d-элементов, введенные в Si при его росте электрически нейтральны. Показано, что высокотемпературная обработка в диапазоне 1000 ÷ 1200оС этих образцов приводит к активации атомов Co, Cr, Ni, V и др. с образованием глубинные уровни, параметры которых совпадают с параметрами ЗГ в диффузионно-легированные образцы.
-Установлено, что при обработке лазерным излучением легированного n-Si во время рост приводит к активации атомов Cr с образованием двух ГЗ. Это показано, что увеличение концентрации глубоких уровней хрома наблюдается при увеличении энергии лазерного излучения. Подобный эффект наблюдалось и с другими исследованными примесями.
-Изучены также процессы образования радиационных дефектов. на примере ванадия в n-Si. Показано, что наличие V примесь в кремнии замедляет образование А-центров и предотвращает введение E-центров в Si.
-Влияние предварительной термообработки на поведение примеси трехмерных элементов, специально введенные для модификации свойств Si, был исследован. Взаимодействие атомов 3d-элементов с технологические примеси - кислород и углерод в Si, которые всегда присутствуют в кристаллической решетке в высоких концентрациях.
-Взаимодействие изовалентной примеси Ge с атомами Ni в Si учился. Установлено, что присутствие атомов Ge в объеме Si повышает эффективность образования глубоких центров, связанных с Ni в Си. Установлено, что в присутствии атомов Ge низкотемпературные отжиг глубоких центров Ni происходит в 3-4 раза медленнее по сравнению с образцами Si.
-Процессы дефектообразования в кремнии, легированном Sn и Mn, и их взаимодействие с неконтролируемыми примесями исследовано инфракрасным спектроскопия. Установлено, что наличие примесей переходного и изовалентных элементов приводит к снижению концентрации технологических примеси - кислород и углерод. Установлено, что введение Mn в Si приводит к сильному снижению концентрации межузельного оптически активный кислород NOopt: в быстроохлажденных образцах Si наблюдается уменьшение в NOopt наблюдается на 50% по сравнению с исходным Si.

1. Ш.Б. Утамурадова, З.О. Олимбеков, Ж.Ж.Хамдамов, К.М. Файзуллаев. Влияние низкотемпературных обработок на поведение глубоких уровней в кремнии, легированном платиной. Физика полупроводников и микроэлектроника, № 5 (2019), с. 36-40. 10–20.
2.Ш.Утамурадова, С.С. Насриддинов, Ш.Исмоилов. Электрофизические свойства кремния, легированного примесью никеля, с использованием Диффузионный метод. Международный журнал новых тенденций в инженерии Исследовательская работа. Том 8.№. 7, июль 2020 г., стр. 3513-3518. (СКОПУС)
3. Ш.Б.Утамурадова, Ш. Х. Далиев, Ю.Р. Равшанов, К.М. Файзуллаев. Особенности образования примесно-дефектных центров в Кремний, легированный хромом. Международный журнал новых тенденций в Инженерные исследования, Том 8, № 9, 2020, стр. 5506-5509. (СКОПУС)
4. Утамурадова Ш.Б., Олимбеков З., Равшанов Ж.Р. Дефект образование в кремнии, легированном платиной. Труды Республиканской Научная конференция «Современные проблемы физики полупроводников», Ташкент, 2018, с. 94-96.
5. Ш.Б.Утамурадова, Р.М. Эргашев, Х. Матчанов. ИК спектроскопия кремния, легированного оловом и марганцем. Материалы Республиканская научная конференция «Современные проблемы физики полупроводников», Ташкент, 2018, стр.106-107.
6. А.Т.Мамадалимов, А.С. Закиров, И.Х. Хамиджонов. Модификация электрических и оптических свойств природных наноструктурированные полупроводниковые волокна. "Физика веера ривожида истедодли Ёшларнинг ўрни" маусусидаги РИАК. 2020 йил 17-18 апреля, г.Тошкент УзМУ. с. 318.
7.Ш.Х.Далиев, А.Рахимов, А.Мухтаров, А.Д.Палуанова. Взаимодействие примесей тугоплавких элементов с кислородом в кремнии "ФИЗИКА фаннинг риводжида истедодли ёшларнинг о'рни" мавсусидаги РИАК. 2020 17-18 апреля, Ташкент УзМУ. стр.328.
8. С.С.Насриддинов, Д.М. Эсбергенов Электрофизические свойства кремния, легированного цинком и никелем» Физика веера ривожида истедодли ёшларнинг ўрни. РИАК-XIII-2020 Республика ильмий анжумани материалари. 17-18 апреля 2020 г. УзМУ г.Тошкент. из. 308-311.
9. С.С.Насриддинов, Д.М. Эсбергенов, Ш.А. Исмаилов, М.И. Маннанов Фотоэлектрические свойства кремния, легированного переходными элементами Сборник докладов международной научной конференции «Наноструктурированные полупроводниковые материалы в фотовольтаике» Ташкентский ТГТУ 2020, 9-10 октября. из. 401-403.
10. Ш.Б.Утамурадова, Равшанов Ж.Р., Рахманов Д.А. Влияние лазерного излучения на поведение атомов кобальта в кремнии. В Международная конференция «Оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниковые микро- и наноструктуры», 13-14 ноября 2020 г.
11. Утамурадова Ш.Б., Файзуллаев К.М., Юлдошев Ю. Процессы примесное взаимодействие в кремнии, легированном хромом и гольмием. 7-й Международная конференция.
12. Утамурадова Ш.Б., Файзуллаев К.М., Юлдошев Ю. Полупроводники, микро- и наноэлектроника: перспективы интеграции науки, образования и промышленности. Материалы республиканской научной конференция. 2021, 21-22 мая.

1. доктор физико-математических наук, проф. Утамурадова Ш.Б. (Научный руководитель проекта ОТ-Ф2-11)
2.Зайнабидинов С
3.Рахматов А
4.Хамиджонов И
5. Утениязова Айсара
6.Алиқулов Б.Ш
7.Норқулов Ш
8.Ғофурова С