НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ
ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И
МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ
ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И
МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ
Альтернативные источники энергии
-построение теории процессов дефектообразования в полупроводниках и других твердых телах, теоретическое
прогнозирование состояния и поведения примесных и дефектных центров в полупроводниках, определение их основных параметров;
-построение общей теории образования глубоких центров в полупроводниках и других твердых телах, в том числе глубоких центров, стимулированных примесями переходных металлов.
-изучение инжекционных процессов в полупроводниках с глубокими примесями и в полупроводниках со сложным примесным спектром;
-построение теории фотопроводимости в системах с квантовыми нановключениями с шириной запрещенной зоны как меньшей,
так и большей, чем в основном материале.
- создание теории акустооптических процессов вблизи резонансов при переходах на глубокие уровни и
вблизи квазичастичных резонансов, и теории воздействия на эти процессы поляритонных и поляронных эффектов;
Эффект заключается в следующем. Рассматривается биполярное распространение инжектированных
светом носителей в квантовых
нанопластинках с нанотолщиной, изменяющейся по квазигиперболическому закону (см. Рис.1).
Были получены уравнения непрерывности для электронов и
дырок в таких нанообъектах, совместное решение которых демонстрирует возникновение
амбиполярного пакета электронов и дырок.
Показано, что в случае электронной или дырочной проводимости для таких нанообъектов,
соблюдается та же закономерность, как и в объемном кристалле – скорость пакета определяют
неосновные носители, однако в роли электрического поля выступают встроенные поля, задаваемые
уменьшением толщины квантовой ямы. В случае собственного полупроводника, в отличие от объемного
случая в дрейфовом режиме, когда пакет имеет нулевую скорость,
электроны и дырки, составляющие пакет, движутся с ненулевой скоростью, определяемой как
встроенными полями, так и подвижностями электронов и дырок.
2.Произведен аналитический расчет фотопроводимости систем с нановключениями.
Были исследованы особенности возникновения фотопроводимости в структурах с нановключениями, имеющими ширину запрещенной зоны большую, чем ширина запрещенной зоны основного материала (Рис.2). Рассмотрены структуры, когда такие нановключения расположены периодически и находятся на равных нанорасстояниях друг от друга. Показано, что промежутки между нановключениями могут образовывать квантовые ямы. Выведены аналитические выражения для вычисления фототока и удельной фотопроводимости в таких структурах.
1. Утениязов А.К., Лейдерман А.Ю., Аюханов Р.А., Нсанбаев М.Т., Есенбаева Э.С.
Фотоэлектрическое инжекционное усиление инжекционного фотодиода на
основе крупноблочных пленок CdTe при освещении
“примесным” светом.//Тенденции развития науки и образования. 2020, №61, Часть 1, с. 21-23.
2.Утениязов А.К., Лейдерман А.Ю., Аюханов Р.А., Нсанбаев М.Т., Есенбаева Э.С.
Фотоэлектрическое инжекционное усиление инжекционного фотодиода на основе крупноблочных пленок
CdTe при освещении “собственным светом..// Вестник Ошского
государственного университета 2020 ISSN 1694-7452 1. Серия “Физика, математика, информационные
технологии, экономика, технические науки” с.67-74.
3. Uteniyazov A.K., Leyderman A.Yu., Аюханов Р.А., Esenbaeva E.S., Gafurova M.V. Features of
Current Transport in Al-Al2O3-pCdTe-Mo-Structure. Semiconductor Physics.// Quantum Electronics &Optoelectronics,
2020.vol.23,No.4.pp.95-101. https://doi.org/10.15407/spqeo 23.04.95. 1. Рахматуллаев М.Р., Рахматуллаев И.А.,
Илясов Б.К., Туляганова Ш.А. Проблемы разработки нормативно-правовых документов для системы высшего образования
научно обоснованных с учетом требований государства и общества, рынка труда, и пути их внедрения. Материалы VІII Международной
научно-практической конференции «GLOBAL SCIENCE AND INNOVATIONS 2020: CENTRAL ASIA» 29 февраля 2020 года, Нур-Султан (Астана), Казахстан, С.76-80.
4. Турсункулов О.М., Рахматуллаев И.А., Горелик В.С., Тукфатуллин О.Ф., Назаров Х.Т., Курбонов А.К. Фотолюминесценция микропорошков диоксида
титана при импульсно-периодическом лазерном возбуждении Материалы V Международной
конференции по Оптическим и фотоэлектрическим явлениям в полупроводниковых
микро- и наноструктурах 13-14 ноября 2020 г. Фергана, С.94-97.
5. Рахматуллаев И.А., Горелик В.С., Тукфатуллин О.Ф., Турсункулов О.М., Рахматуллаев М.Р., Курбонов А.К.
Структурные и люминесцентные свойства микропорошков оксида цинка. Материалы V Международной конференции по Оптическим и
фотоэлектрическим явлениям в полупроводниковых микро- и наноструктурах 13-14 ноября 2020 г. Фергана, С.98-100.
6.Аюханов Р.А., Овчаренко В.С. Биполярные процессы в нанопластинках с линейно изменяющейся толщиной. Материалы V Международной
конференции по Оптическим и фотоэлектрическим явлениям в полупроводниковых микро- и наноструктурах 13-14 ноября 2020 г. Фергана, С.89-81.
7Особенности упругой анизотропии кристаллов арсенида и фосфида
галлия// фундаментальные и
прикладные вопросы физики, труды международной
конференции, Ташкент, 22-23- сентября 2020. Стр.30-33. Соавторы: Ф.Р.
Ахмеджанов, Ф.Д. Маматджанов, У.Ш. Абдирахмонов.
8. Исследование голографические свойства
халькогенидных стеклообразных полупроводниковых (хсп) пленок//
фундаментальные и прикладные вопросы
физики, труды международной конференции,
Ташкент, 22-23- сентября 2020. Стр.156-159. Соавторы: Н.Н. Базарбаев, М.Р.
Бекчанова, Т.З. Азаматов, А.Б. Баҳромов