Физика конденсированных сред

  • img
  • img
Научные направление лаборатории:

-построение теории процессов дефектообразования в полупроводниках и других твердых телах, теоретическое прогнозирование состояния и поведения примесных и дефектных центров в полупроводниках, определение их основных параметров;
-построение общей теории образования глубоких центров в полупроводниках и других твердых телах, в том числе глубоких центров, стимулированных примесями переходных металлов.
-изучение инжекционных процессов в полупроводниках с глубокими примесями и в полупроводниках со сложным примесным спектром;
-построение теории фотопроводимости в системах с квантовыми нановключениями с шириной запрещенной зоны как меньшей, так и большей, чем в основном материале.
- создание теории акустооптических процессов вблизи резонансов при переходах на глубокие уровни и вблизи квазичастичных резонансов, и теории воздействия на эти процессы поляритонных и поляронных эффектов;

2019
Информация об основных научных результатах лаборатории
В лаборатории теоретически предсказан эффект возникновения ненулевой скорости биполярного распространения связанных в пакет электронов и дырок в нанопленках с квазигиперболически изменяющейся толщиной.

Эффект заключается в следующем. Рассматривается биполярное распространение инжектированных светом носителей в квантовых нанопластинках с нанотолщиной, изменяющейся по квазигиперболическому закону (см. Рис.1). Были получены уравнения непрерывности для электронов и дырок в таких нанообъектах, совместное решение которых демонстрирует возникновение амбиполярного пакета электронов и дырок.
Показано, что в случае электронной или дырочной проводимости для таких нанообъектов, соблюдается та же закономерность, как и в объемном кристалле – скорость пакета определяют неосновные носители, однако в роли электрического поля выступают встроенные поля, задаваемые уменьшением толщины квантовой ямы. В случае собственного полупроводника, в отличие от объемного случая в дрейфовом режиме, когда пакет имеет нулевую скорость, электроны и дырки, составляющие пакет, движутся с ненулевой скоростью, определяемой как встроенными полями, так и подвижностями электронов и дырок.

2.Произведен аналитический расчет фотопроводимости систем с нановключениями.

Были исследованы особенности возникновения фотопроводимости в структурах с нановключениями, имеющими ширину запрещенной зоны большую, чем ширина запрещенной зоны основного материала (Рис.2). Рассмотрены структуры, когда такие нановключения расположены периодически и находятся на равных нанорасстояниях друг от друга. Показано, что промежутки между нановключениями могут образовывать квантовые ямы. Выведены аналитические выражения для вычисления фототока и удельной фотопроводимости в таких структурах.

Квантовая нанопластинка с изменяющейся толщиной и энергетическая ширина запрещенной зоны в зависимости от его нанотолщины.
Структура с нановключениями, имеющими ширину запрещенной зоны, большую, чем ширина запрещенной зоны основного материала структуры.




2019-2021
Информация об основных публикациях лаборатории

1. Утениязов А.К., Лейдерман А.Ю., Аюханов Р.А., Нсанбаев М.Т., Есенбаева Э.С. Фотоэлектрическое инжекционное усиление инжекционного фотодиода на основе крупноблочных пленок CdTe при освещении “примесным” светом.//Тенденции развития науки и образования. 2020, №61, Часть 1, с. 21-23.
2.Утениязов А.К., Лейдерман А.Ю., Аюханов Р.А., Нсанбаев М.Т., Есенбаева Э.С. Фотоэлектрическое инжекционное усиление инжекционного фотодиода на основе крупноблочных пленок CdTe при освещении “собственным светом..// Вестник Ошского государственного университета 2020 ISSN 1694-7452 1. Серия “Физика, математика, информационные технологии, экономика, технические науки” с.67-74.
3. Uteniyazov A.K., Leyderman A.Yu., Аюханов Р.А., Esenbaeva E.S., Gafurova M.V. Features of Current Transport in Al-Al2O3-pCdTe-Mo-Structure. Semiconductor Physics.// Quantum Electronics &Optoelectronics, 2020.vol.23,No.4.pp.95-101. https://doi.org/10.15407/spqeo 23.04.95. 1. Рахматуллаев М.Р., Рахматуллаев И.А., Илясов Б.К., Туляганова Ш.А. Проблемы разработки нормативно-правовых документов для системы высшего образования научно обоснованных с учетом требований государства и общества, рынка труда, и пути их внедрения. Материалы VІII Международной научно-практической конференции «GLOBAL SCIENCE AND INNOVATIONS 2020: CENTRAL ASIA» 29 февраля 2020 года, Нур-Султан (Астана), Казахстан, С.76-80.
4. Турсункулов О.М., Рахматуллаев И.А., Горелик В.С., Тукфатуллин О.Ф., Назаров Х.Т., Курбонов А.К. Фотолюминесценция микропорошков диоксида титана при импульсно-периодическом лазерном возбуждении Материалы V Международной конференции по Оптическим и фотоэлектрическим явлениям в полупроводниковых микро- и наноструктурах 13-14 ноября 2020 г. Фергана, С.94-97.
5. Рахматуллаев И.А., Горелик В.С., Тукфатуллин О.Ф., Турсункулов О.М., Рахматуллаев М.Р., Курбонов А.К. Структурные и люминесцентные свойства микропорошков оксида цинка. Материалы V Международной конференции по Оптическим и фотоэлектрическим явлениям в полупроводниковых микро- и наноструктурах 13-14 ноября 2020 г. Фергана, С.98-100.
6.Аюханов Р.А., Овчаренко В.С. Биполярные процессы в нанопластинках с линейно изменяющейся толщиной. Материалы V Международной конференции по Оптическим и фотоэлектрическим явлениям в полупроводниковых микро- и наноструктурах 13-14 ноября 2020 г. Фергана, С.89-81.
7Особенности упругой анизотропии кристаллов арсенида и фосфида галлия// фундаментальные и прикладные вопросы физики, труды международной конференции, Ташкент, 22-23- сентября 2020. Стр.30-33. Соавторы: Ф.Р. Ахмеджанов, Ф.Д. Маматджанов, У.Ш. Абдирахмонов.
8. Исследование голографические свойства халькогенидных стеклообразных полупроводниковых (хсп) пленок// фундаментальные и прикладные вопросы физики, труды международной конференции, Ташкент, 22-23- сентября 2020. Стр.156-159. Соавторы: Н.Н. Базарбаев, М.Р. Бекчанова, Т.З. Азаматов, А.Б. Баҳромов