Исследование влияния ядерного излучения на электрофизические свойства и радиационную стойкост различных материалов.
Исследование электрофизических и рекомбинационных параметров монокристаллического кремния, легированного редкоземельными элементами, а также воздействия на них γ-квантов и тепловых нейтронов.
Определение оптимальных характеристик (тока, стабильности) облучения пучками ускоренных протонов и/или альфа частиц, в новой, созданной в лаборатории универсальной камере, с целью модификации полупроводниковых материалов.
Исследование электрофизических свойств полупроводниковых материалов, облученных пучками протонов в универсальной камере, установленной в прямом канале “Ускорителя ЭГ-2 Сокол”.
Разработка методики и системы контроля температуры в процессе облучения полупроводниковых материалов в прямом канале универсальной камеры.
SСайдимов Якуббай Атабаевич
Ученая степень:
Создана новая универсальная камера, позволяющая повысить эффективность облучения полупроводниковых материалов ускоренными протонами и альфа-частицами, и как следствие, приводящее к их модификации.
Разработано новое устройство для контроля температуры образцов в процессе облучения ускоренными протонами.
Изучено влияние облучения пучками протонов с энергией в диапозоне 350÷650 кэВ на электрофизические параметры и морфологию поверхности образцов, кремния различных марок в электростатическом “Ускорителе ЭГ-2 Сокол”.
Установлено изменение основных электрофизических параметров и морфологии поверхности образцов монокристаллического кремния марок КЭФ-40 и КДБ-20, легированных диффузионным методом редкоземельными элементами (Тm и Тb).
Изучено влияние радиации на основные электрофизические параметры монокристаллов кремния марки КЭФ-5, облученных γ-квантами (60Co) со средней энергией 1,25 МэВ.
- Yа.A. Saydimov, M. I. Mannanov, F.B. Umarov A.R. Turayev. Yarimo’tkazgichli Si
- Ya.A. Saidimov, R.F. Rumi, Z.M. Saparniyazova, F.A. Saparov. Determination of the temperature gradient of a monocrystalline silicon element // Science and Education in Karakalpakstan. 2022 №1/1, pp. 47-52.
-Я.А. Сайдимов, Ф.Б. Умаров. Исследование влияние ускоренных протонов на поверхностные параметры монокристаллического кремния // Международный научный журнал «Наука и Мир», 2023, № 2 (114), -С. 12-14.
- С.С. Насриддинов, А. Мавлянов, Д.М. Есбергенов, М.И. Маннанов. Создание технологической карты получения терморезистивных структур на основе компенсированного кремния // Международный научный журнал «Наука и Мир», 2023, № 2 (114), 45-50 стр.
- М.И. Маннанов. Термоанеметрический датчик на основе Si
- A.H. Kuldashev, Ya.A. Saidimov, M.I. Mannanov. The effect of accelerated protons on the electrophysical parameters of thermistors based on n-Si and n-Si // Web of Scientist: International Scientific Research Journal. 2023, Volume 4 , ISSUE 9, –pp. 14-18.
-S.Z. Zaynbidinov, A.P. Turaev, Sh.B. Ibragimov, D.B. Elmuradova, Y.A. Saydimov, F.A. Saparov. Effect of pressure on oxygen concentration in silicon single crystals. Technical science and innovation. Chemistry and chemical technology. Tashkent. 2023/1(15). pp. 5-14.
- Я.А. Сайдимов, Ф.Б. Умаров. Облучение монокристаллического кремния пучками протонов с энергией от 350 до 650 кэВ // Ўзбекистон миллий университети хабарлари. Ташкент. 2023 й, 3/1. 493-495 б.
- S.S. Nasriddinov, M.I. Mannanov. Ni va Cu atomlari bilan legirlangan kremniy asosida harorat datchiklar yaratishda mexanik va kimyoviy ishlov berish texnologiyasi // Farg‘ona politexnika instituti ilmiy-texnika jurnali. 2023. 27/3. 14-19 b.
- Ya.A. Saidimov, F.B. Umarov. Theoretical calculation of the Tm diffusion coefficient in Si // International Scientific Conference of Young Scientists "Science and Innovation". Tashkent, October 20, 2022. рр. 208-210.
-K.P. Abdurakhmanov, B.E. Egamberdiev, Sh.A. Sayfulloyev Creation of thin ion-implanted layers with cobalt atoms near the silicon surface // II-международной конференция «Фундаментальные и прикладные проблемы физики полупроводников, микро- и наноэлектроники».Ташкент, 2023 г., 27-28 октября, -С. 23-24.
-K.P. Abdurakhmanov, B.E. Egamberdiev, Sh.A.Sayfulloyev. Deposition of thin ion-implanted layers enriched with iron atoms on near surface layer of silicon // II-международной конференция «Фундаментальные и прикладные проблемы физики полупроводников, микро- и наноэлектроники». Ташкент, 2023 г., 27-28 октября, -С. 64-66.
- Я.А. Сайдимов, Ф.Б. Умаров. Исследование характеристик образцов Si
- Я.А. Сайдимов, Ф.Б. Умаров. Диффузия Tm и Tb в монокристалл кремния // Международная научная конференция молодых учёных «Наука и инновации»: сборник научных трудов. Ташкент, 2023 г., 19 октября, – С. 225-226.
- Я.А. Сайдимов, Ф.Б. Умаров. Изменение электрофизических параметров монокристаллического кремния под действием γ- квантов // II-международной конференция «Фундаментальные и прикладные проблемы физики полупроводников, микро- и наноэлектроники». Ташкент, 2023 г., 27-28 октября, -С. 255-256.
Электростатический “Ускоритель ЭГ-2 Сокол”
Используется для облучения полупроводниковых материалов ускоренными протонами и/или альфа-частицами.
Используется для модификации полупроводниковых материалов пучками протонов на прямом канале электростатического “Ускорителя ЭГ-2 Сокол”
Используется для получения вакуума в универсальной камере “Ускорителя ЭГ-2 Сокол” до 10-3 мм.рт.ст..
Используется для контроля вакуума в универсальной камере “Ускорителя ЭГ-2 Сокол”