Голографическая интерферометрия, разработка и исследование элементов голографических цифровых интерферометрических устройств, изучение голографической записи информации в различных обратимых фоточувствительных средах, в том числе фоторефрактивных кристаллах, полупроводниковых материалах и гетероструктурах, а также наноматериалах.
Использование различных видов лазерного излучения при исследовании голографических характеристик полупроводниковых структур на основе A3B5 и A5B6.
Создание на основе голографической интерферометрии экспериментальных моделей контрольно-диагностических устройств для неразрушающего контроля различных объектов и материалов микроэлектроники.
Изучение физики элементной базы микро и наноэлектроники, проведение исследований по современным проблемам технологии микро- и наноэлектронных систем.
Исследование дефектов в различных материалах, включая полупроводниковые соединения и гетероструктуры методами фотолюминесценции, лазерной спектроскопии, катодолюминесценции, воздействием γ-излучением.

Основные научные результаты

Разработаны методы записи и стирания голограмм на халькогенидных стеклообразных полупроводниковых пленках (ХСП), исследована реверсивность записи голограмм на ХСП пленках As-Se и As-S.
В спектрах поглощения ХСП пленок As-Se и As-S облученных He-Ne-лазером выявлен сдвиг границы оптического поглощения в сторону длинных волн.
Обнаружено наличие максимума в композиционной зависимости дифракционной эффективности голограмм и сдвиг края оптического поглощения для пленок AsxS1-x и AsxSе1-х с содержанием мышьяка 65 ат.%.
Определена зависимость оптических и голографических параметров тонких пленок As-Se и As-S от предыстории исходного материала. Установлена, чрезвычайно сильная зависимость структурно-чувствительных параметров образцов от температуры термообработки исходного материала, с пиком в области T ≈ 490 °С. Показано более чем двухкратное изменение дифракционной эффективности при изменении термической предыстории исходного материала.

Научные проекты

ОТ-Атех-2018-66 «Разработка и изготовление макета ширографа и технологии бесконтактной диагностики дефектов в различных материалах методом сдвиговой интерферометрии» (2018-2020гг).

Опубликованы основные научные работы

1. З.Т. Азаматов, Хусаинов И.А., Ким В.В., Акбарова Н.А. «Устройство для дистанционного обнаружения дефектов» патент FAP № 01411 приоритет от 26.06.2018, регистрация 31.07.2019.
2. З.Т.Азаматов, В.Е.Гапонов, А.А.Жеенбеков Методы и средства цифровой голографической интерферометрии для неразрушающего контроля и технической диагностики. Монография, Фан ва технологиялар нашриёти, 2023, 312 б.
3. З.Т. Азаматов, Ш.Б. Утамурадова, Н.Н. Базарбоев, Т.З. Азаматов, М.Р. Бекчанова, А.Б. Бахромов. Голографическая свойства халькогенидных стеклообразных полупроводниковых пленок //Прикладная физика, 2022, №2, стр. 39-45. (Scopus)
4. Z.T.Azamatov, Sh.B.Utamuradova, N.N.Bazabayev, M.A.Yuldoshev. Some properties of semiconductor-ferroelectric structures // East European Journal of Physics. 2023, №2, pp.187-190. (Scopus).
5. Sh.B.Utamuradova, Z.T.Azamatov, M.A.Yuldoshev N.N.Bazabayev, A.B. Bahromov. Investigations of nonlinear optical properties of lithium niobate crystals // East European Journal of Physics. 2023, №4, pp.147-152. (Scopus).
6. Ш.Б.Утамурадова, З.Т.Азаматов, В.Е.Гапонов, А.А.Жеенбеков, Н.Н.Базарбаев, А.Б.Бахромов // Применение цифровой ширографии для обнаружения дефектов в материалах, Прикладная физика Научно-технический журнал, 2023, № 4, Москва, стр.115-120 (Scopus).
7. I.Japakov, M.E.Vapaey, R.M.Bedilov, Z.T.Azamatov, I.Y.Davletov. Spectra of multiply charged ions in laser plasma formed from gas-containing targets // East European Journal of Physics. 2023, №3, pp.490-494. (№3 (Scopus) IF:0.8).