Ядерно-физические методы исследования

Исследование влияния ядерного излучения на электрофизические свойства и радиационную стойкост различных материалов.
Исследование электрофизических и рекомбинационных параметров монокристаллического кремния, легированного редкоземельными элементами, а также воздействия на них γ-квантов и тепловых нейтронов.
Определение оптимальных характеристик (тока, стабильности) облучения пучками ускоренных протонов и/или альфа частиц, в новой, созданной в лаборатории универсальной камере, с целью модификации полупроводниковых материалов.
Исследование электрофизических свойств полупроводниковых материалов, облученных пучками протонов в универсальной камере, установленной в прямом канале “Ускорителя ЭГ-2 Сокол”.
Разработка методики и системы контроля температуры в процессе облучения полупроводниковых материалов в прямом канале универсальной камеры.

Основные научные результаты

Создана новая универсальная камера, позволяющая повысить эффективность облучения полупроводниковых материалов ускоренными протонами и альфа-частицами, и как следствие, приводящее к их модификации.
Разработано новое устройство для контроля температуры образцов в процессе облучения ускоренными протонами.
Изучено влияние облучения пучками протонов с энергией в диапозоне 350÷650 кэВ на электрофизические параметры и морфологию поверхности образцов, кремния различных марок в электростатическом “Ускорителе ЭГ-2 Сокол”.
Установлено изменение основных электрофизических параметров и морфологии поверхности образцов монокристаллического кремния марок КЭФ-40 и КДБ-20, легированных диффузионным методом редкоземельными элементами (Тm и Тb).
Изучено влияние радиации на основные электрофизические параметры монокристаллов кремния марки КЭФ-5, облученных γ-квантами (60Co) со средней энергией 1,25 МэВ.

Опубликованные основные научные работы

1. Yа.A. Saydimov, M. I. Mannanov, F.B. Umarov A.R. Turayev. Yarimo’tkazgichli Si va Si namunalari asosida yaratilgan termorezistiv datchiklar yordamida haroratni o’lchovchi qurulma uchun dastur // EHM uchun yaratilgan dasturning rasmiy ro‘yxatdan o‘tkazilganligi to‘g‘risidagi guvohnoma № DGU 26501, 07.08.2023 y.
2. Ya.A. Saidimov, R.F. Rumi, Z.M. Saparniyazova, F.A. Saparov. Determination of the temperature gradient of a monocrystalline silicon element // Science and Education in Karakalpakstan. 2022 №1/1, pp. 47-52.
3. Я.А. Сайдимов, Ф.Б. Умаров. Исследование влияние ускоренных протонов на поверхностные параметры монокристаллического кремния // Международный научный журнал «Наука и Мир», 2023, № 2 (114), -С. 12-14.
4. С.С. Насриддинов, А. Мавлянов, Д.М. Есбергенов, М.И. Маннанов. Создание технологической карты получения терморезистивных структур на основе компенсированного кремния // Международный научный журнал «Наука и Мир», 2023, № 2 (114), 45-50 стр.
5. М.И. Маннанов. Термоанеметрический датчик на основе Si. // Research Focus International Scientific Journal, Uzbekistan. 2023, Volume 2 ISSUE 9, pp. 40-44.
6. A.H. Kuldashev, Ya.A. Saidimov, M.I. Mannanov. The effect of accelerated protons on the electrophysical parameters of thermistors based on n-Si and n-Si // Web of Scientist: International Scientific Research Journal. 2023, Volume 4 , ISSUE 9, –pp. 14-18.
7. S.Z. Zaynbidinov, A.P. Turaev, Sh.B. Ibragimov, D.B. Elmuradova, Y.A. Saydimov, F.A. Saparov. Effect of pressure on oxygen concentration in silicon single crystals. Technical science and innovation. Chemistry and chemical technology. Tashkent. 2023/1(15). pp. 5-14.