Изучение фундаментальных свойств и взаимодействия твердотельных материалов в конденсированном атомарном и молекулярном состояниях.
Исследование магнитных свойств полупроводников и квантовых материалов. Исследование магнитотранспортных явлений в конденсированных полупроводниковых структурах с кристаллической решеткой.
Квантово-механическое моделирование и расчет энергетических параметров конденсированных структур с кристаллической решеткой с ограниченным числом атомов (≤100). Выбор соответствующих оптимальных приближений и методов квантово-механических вычислений на основе анализа свойств структур кристаллической решетки.
Прогнозирование новых материалов с кристаллическими структурами путем сравнительного анализа современной квантово-механической модели и результатов экспериментальных исследований.

Основные научные результаты

Усовершенствована технология «низкотемпературной диффузии» в целях легирования кремния редкоземельными элементами, в частности, гадолинием. Изучена зависимость времени жизни носителей заряда (τ) от температуры (Т) дополнительного отжига образцов. Подтверждена радиационная стойкость образцов Si к γ-излучению.
Исследованы закономерности возникновения дефектов, их деградации или превращения в другие типы дефектов в пленках LiF/Si(111).
Исследовано магнитосопротивление монокристаллического кремния с примесью марганца (Mn). Исследованы закономерности изменения магнитосопротивления кремния, легированного атомами марганца (находящимися в атомарном или молекулярном состоянии) от температуры, освещенности и электрического поля.
Выполнено квантово-механическое моделирование конденсированных структур (на примере молекулы MnBVI, встроенной в решетку монокристаллического кремния).
В ходе проведения сравнительного анализа методов квантово-механического расчета кристаллической структуры изучены ограниченный/неограниченный методы Хартри-Фока (RHF/UHF), метод функционала электронной плотности (DFT) и полуэмпирические методы

Список опубликованных работ

1.Sh.B. Utamuradova, A.Sh.Mavlyanov, M.K.Azizov, M.K.Haqqulov. Kislotali akkumulyatorni ishlab-chiqarishda haroratni avtomatik o‘lchash dasturi // EHM uchun yaratilgan dasturning rasmiy ro‘yxatdan o‘tkazilganligi to‘g‘risida guvohnoma № DGU 29202, 15.11.2023 y.
2.O. E. Sattarov, A.Sh. Mavlyanov, A. An. Effect of Manganese Atoms on the Magnetic Properties of Silicon // Surface Engineering and Applied Electrochemistry. 2023, Vol. 59, No. 2, pp. 216–219.
3.B.E. Egamberdiyev, A.Sh. Mavlyanov, Sh. Sayfulloyev. Effect of annealing on the crystal structure of CoSi2/Si (100) formed by MBE, SSE and RE epitaxy techniques// Universal Journal of Mechanical Engineering. Horizon Research (Scopus), 2019, Vol. 7, No. 7.
4.U. Sharopov, B. Egamberdiev, et all. Comparative research fluorine and colloidal aggregate formation on the surface lithium fluoride thin films during electronic, ionic&thermal treatments // Vacuum, Elsevier. 2023, V.213, pp.1-10.
5. M. Khaqqulov. X-ray and SEM analysis of silicon diffused with Zinc and Sulfur impurity atoms // Science and Innovation International Scientific Journal. 2023, Vol.2, No.11, pp. 88-91.
6. M.K. Khaqqulov. Electrophysical properties of single crystal silicon sequentially doped with sulfur and zinc impurity atoms // Eurasian Journal of Physics, Chemistry and Mathematics. 2023, vol. 24, pp. 9-12.
7. А.Ш. Мавлянов, Э.Б. Халтурсунов, М.К. Азизов, Х.Мавлонова. Исследование спектра фотопроводимости кремния, легированного серой при прямом и обратном включениях // Физика полупроводников и микроэлектроника 2019, том 1, Вып.4, стр. 56-62.