Разработка новой технологии создания термостабильных фотоприемников на основе структур из кремния и соединений CdTe, CdS, ZnCdTe и широкозонных полупроводниковых оксидных пленок SnO2, In2,O3, ITO, CdO и Mo2O3;
Создание конструкции устройства (агрегата) и его образца для реализации новой технологии газофазной эпитаксии;
Создание фотоприемника ближнего ультрафиолетового и инфракрасного сигналов на основе кремния n- и p-типа, легированного редкоземельными элементами;
Создание фотодетекторных структур чувствительных в широком диапазоне спектра (350÷1450) нм на основе пленок кремния n- и p-типа, легированного Mo, Ta, Gd и нанокомпозитных соединений на основе оксидов металлов;
Создание светочувствительных диодных структур на основе теллурида кадмия и его тройных соединений с широкополосными прозрачными оксидными слоями n-типа SnO2, In2, O3, ITO, CdO, MoO3, полученных газотранспортным методом;
Разработка схемы и программы центрального микропроцессорного электронного блока, предназначенного для обработки, анализа и сравнения сигналов от барьерных датчиков Шоттки с индикаторами и исполнительными устройствами

Проекты

Ил-402104421 «Разработка технологии получения высокотермостабильного легированного кремния и кремниевых диодных структур» (2022-2023 гг.)

Основные научные результаты

Создана отдельная технологическая установка для выращивания полупроводниковых структур многокомпонентных соединений методами химической молекулярной пучковой и газотранспортной реакций;
Разработана технология получения поликристаллических пленок CdTe с оптимальными выходными параметрами методами газотранспортной

Список опубликованных работ

2. Ш.Б. Утамурадова, С.А. Рахмонов, С.А. Музафарова, З.М. Хусанов, Ф.А. Сапаров. Интегрированная программа системы средств измерения температуры // Свидетельство об официальной регистрации программы, созданной для электронных калькуляторов № ДГУ 27702, 27.09.2023.
3. X.С. Далиев, З.М. Хусанов . Программа для расчета распределения атомов железа и ванадия, попадающих в кремний в процессе диффузии // Свидетельство об официальной регистрации программы, созданной для электронных калькуляторов №ДГУ 23645, 20.02.2023.
4. Ш.Б. Утамуратова, С.А. Музафарова. Своих т и тонких фоточувствительных пеленок теллурида кадмия и физико-технологические основы ix получения, Монография, издательство «Полиграф Супер Сервис» , 2023, 625 с.
5. Ш.Б. Утамуратова, С.А. Музафарова. Исследование свойств поликристаллических пленок и фоточувствительных структур на основе теллурида кадмия , Монография, издательство «Ташкент», 2023, 230 с.
6. Т.М. Разыков, Дж. Бекмирзоев, А. Босио, Б.А. Эргашев, Д. Исаков, Р. Хуррамов, К.М. Кушкаров, М.А. Махмудов, А. Ромео, Н. Ромео, М.С. Тиванов, Ш.Б. Утамурадова, Д.С. Байко, Л.С. Ляшенко, О.В. Королик, А.А. Мавлонов. Структурные и оптические свойства тонких пленок Sbx Sey, полученных методом химического молекулярно-лучевого осаждения из прекурсоров Sb и Se // Солнечная энергия 2023, 254. с. 67–72. https://doi.org/10.1016/j.solener.2023.03.010. (Скопус, 1 квартал)
7. Т.М. Разыков, К.М. Кучкаров, М.С. Тиванов, Д.С. Байко, Л.С. Ляшенко, Б.А. Эргашев, А. Мавлонов, А.Н. Олимов, Р. Хуррамов, Д.З. Исаков, М. Пиримматов, Характеристики тонких пленок Sb2 Se3 , полученных химическим молекулярным лучом метод нанесения тонкопленочных солнечных элементов // Thin Solid Films, 2023, 774. с. 139844. https://doi.org/10.1016/j.tsf.2023.139844 , (Scopus, Q2).
8. Т.М. Разыков, М.С. Тиванов, К.М. Кучкаров, Д.С. Байко, И.А. Капуцкая, Р.Т. Юлдошов, А.Н. Олимов, Влияние соотношения Sb/Se на структурные и электрические свойства пленок Sb2 Se3 // Прикладная солнечная энергетика. 2023, № 5. пп. 105-111.