-Atrof-muhit omillarning (quyosh radiatsiyasining zichligi va tarkibi, atrofdagi havoning harorati va nisbiy namligi, shamol tezligi, atmosfera bosimi, atmosferaning ifloslanganligi, yog‘ingarchilik va boshqalar) fotoelektrik va quyosh fotoissiqlik aylantiruvchi tizimlarning ekspluatatsion parametrlari va xususiyatlariga ta’siri bilan bog‘liq muammolarni hal qilish;
-Fotoelektrik modullar, fotoissiqlik va fototermik aylantirgichlarga asoslangan avtonom energetik tizimlarni ishlab chiqish, shuningdek ularning parametrlari va xususiyatlarini o‘rganish;
-Quyosh, shamol, biomassa, vodorod va geotermal energiyalar (issiqlik nasosi) asosida ishlaydigan tizimlarning energetik parametrlari va xarakteristikalari haqidagi ma’lumotlarni o‘lchash, qayd qilish va qayta ishlash tizimlarini ishlab chiqish;
-Ko‘chma ko‘p funksiyali energetik komplekslarni ishlab chiqish va tajriba-sinov tariqasidagi kichik ishlab chiqarishni yo‘lga qo‘yish;-Исследование возможности создания диодных структур на основе композитного материала. Хлопковое волокно, токопроводящий полимер;
-Muqobil energiya manbalari asosidagi qurilmalar uchun quvvat elektronikasi, avtomatlashtirilgan va masofadan boshqarish bloklar (uzellar)ini ishlab chiqish.
Mavlyanov Abdulaziz Shavkatovich
Ilmiy daraja:
Email: microelectronics74@mail.ru
-Noyob yer elementlar, hususan, gadoliniy bilan kremniyni legirlash maqsadida «past xaroratli diffuziya» texnologiyasi mukammalashtirildi. Namunalarni τ ko‘rsatkichini qo‘shimcha qizdirish haroratiga bog‘liqligi o‘rganildi. Si
- LiF/Si(111) plyonkalarida nuqsonlarning paydo bo‘lish, ularning yo‘q bo‘lish yoki boshqa turdagi nuqsonlarga aylanish qonuniyatlari tadqiq qilindi.
-Tarkibida Mn bo‘lgan kremniy monokristalida magnit qarshilik o‘rganildi. Harorat, yoritish va elektr maydonga qarab marganes atomlari (yakka va molekulyar holatda) bilan legirlangan kremniyda magnit qarshilik o‘zgarish qonuniyatlari aniqlandi.
- Monokristal kremniyning panjarasiga joylashtirilgan (MnBVI-turdagi molekula misolida) kondensatsiyalangan tuzilmalarni kvant mexanik modellashtirish amalga oshirildi.
-Kristal panjarali strukturani kvant mexanik hisoblash usullarini qiyosiy tahlili o‘tkazilib, cheklangan va cheklanmagan Xartri-Fok (RHF/UHF), elektron zichligi funksionali (DFT) va yarimempirik usullar o‘rganildi.
-Sh.B. Utamuradova, A.Sh.Mavlyanov, M.K.Azizov, M.K.Haqqulov. Kislotali akkumulyatorni ishlab-chiqarishda haroratni avtomatik o‘lchash dasturi // EHM uchun yaratilgan dasturning rasmiy ro‘yxatdan o‘tkazilganligi to‘g‘risida guvohnoma № DGU 29202, 15.11.2023 y.
-O. E. Sattarov, A.Sh. Mavlyanov, A. An. Effect of Manganese Atoms on the Magnetic Properties of Silicon // Surface Engineering and Applied Electrochemistry. 2023, Vol. 59, No. 2, pp. 216–219.
-B.E. Egamberdiyev, A.Sh. Mavlyanov, Sh. Sayfulloyev. Effect of annealing on the crystal structure of CoSi2/Si (100) formed by MBE, SSE and RE epitaxy techniques// Universal Journal of Mechanical Engineering. Horizon Research (Scopus), 2019, Vol. 7, No. 7.
- U. Sharopov, B. Egamberdiev, et all. Comparative research fluorine and colloidal aggregate formation on the surface lithium fluoride thin films during electronic, ionic&thermal treatments // Vacuum, Elsevier. 2023, V.213, pp.1-10.
-M. Khaqqulov. X-ray and SEM analysis of silicon diffused with Zinc and Sulfur impurity atoms // Science and Innovation International Scientific Journal. 2023, Vol.2, No.11, pp. 88-91.
- M.K. Khaqqulov. Electrophysical properties of single crystal silicon sequentially doped with sulfur and zinc impurity atoms // Eurasian Journal of Physics, Chemistry and Mathematics. 2023, vol. 24, pp. 9-12.
- А.Ш. Мавлянов, Э.Б. Халтурсунов, М.К. Азизов, Х.Мавлонова. Исследование спектра фотопроводимости кремния, легированного серой при прямом и обратном включениях // Физика полупроводников и микроэлектроника 2019, том 1, Вып.4, стр. 56-62.
- Sh.Askarov, B.Sharipov, A.Mavlyanov, Sh.Saliyeva, D. Shukurova, D. Rasulova. Quasi-molecules of Sulphur in Silicon // 2023 IEEE 16th International conference of actual problems of electronic instrument engineering (APEIE), 1-1-12 November, 2023. Novosibirsk (Domina) Russia, p.1650-1653.
- М.К. Азизов, А.Ш. Мавлянов. Термодатчики на основе кремния с нанокластерами атомов никеля // Материалы международной научной конференции «Новые материалы и гелиотехнологии», Паркент, 2023, 15-16 мая, стр.79-81.
-А.Ш. Мавлянов, З. Умарходжаева, И. Мадреймов. Модельный расчет параметра элементарной ячейки Si2ZnS полуэмпирическим методом // Материалы международной научной и научно-технической конференции “Ресурсо и энергосберегающие инновационные технологии в литейном производстве”, Ташкент, 2023, 18-19 мая, cтр. 222-224.
- Sh. Askarov, B. Sharipov, A. Mavlyanov, Sh. Saliyeva, D. Shukurova, A. Mavlonov. Paramagnetic and ferromagnetic centers of manganese in silicon // International symposium on magnetism, Samarkand, 2023, July 2-6, Pr.120.
- Sh. Askarov, B. Sharipov, A. Mavlyanov, Sh. Saliyeva, Sh. Ibragimova. Exchange-coupled sulfur and manganese complexes in silicon // International symposium on magnetism, Samarkand, 2023, July 2-6, Pp.99.
-Н.А. Тургунов, Р.М. Турманова, Н.Б. Хайтимметов, С.Р. Эгамов. Изучение электрических параметров образцов n-Si
- S.Z. Zaynabidinov, N.A. Turgunov, R.M. Turmanova, N.B. Xaytimmetov. Formirovaniye primesnыx skopleniy v obrazsax n-Si
- “Kvant mexanik modellashtirish va hisoblash usullari”, “Elektronika va asbobsozlik” ta’lim yo‘nalishidagi o‘quv moduli bo‘yicha masofaviy ta’lim uchun o‘quv-uslubiy ta’minot, 2022 y.
“TERMOTEST-100” Termostati
Ilmiy tadqiqotlarda foydalaniladigan termoelementlar, termometrlar, harorat datchiklarini tekshirish va kalibrlash vaqtida ma’lum haroratni saqlash hamda haroratni ma’lum haroratda ushlab turish maqsadida ishlatiladi
Yarimo‘tkazgichli materiallarni elektrofizik parametrlarini o‘lchash uchun yig‘ilgan elektron sxemalardagi kuchlanishni minimum 10-4 V gacha va tok kuchini 10-7 A gacha bo‘lgan qiymatlarda o‘lchash imkoniyatini beradi.
Yarimo‘tkazgichli materiallarni elektrofizik parametrlarini va Volt-amper tavsifini o‘lchash uchun yig‘ilgan elektron sxemalarni mukammal aniqlikda doimiy elektr toki (3A, 15 V) bilan ta’minlash uchun ishlatiladi.
Laboratoriya qurilmalaridagi elektron sxemalarni ta’mirlash, elektron komponentlarni payvandlash hamda boshqa turli xil materiallarni payvandlash maqsadida ishlatiladi.
Yarimo‘tkazgichli strukturalarni elektrofizik parametrlarini o‘lchovchi qurilmalarda kuchlanish, chastota, kechikish vaqti, signal shakli va boshqa parametrlarni o‘lchash kabi keng ko‘lamli maqsadlar uchun ishlatiladi.
