-CdTe, CdS, ZnCdTe birikma va SnO2, In2,O3, ITO, CdO, Mo2O3 plyonkalari hamda keng sohali yarimo‘tkazgich oksidlari bilan termostabil kremniy asosida fotodetektorlar yaratishning yangi texnologiyasini ishlab chiqish;
-gaz fazali epitaksiyaning yangi texnologiyasini amalga oshirish uchun qurilma (agregat) konstruksiyasini va uning namunasini yaratish;
-nodir yer elementlar kiritilgan n- va p-tipli kremniy asosida yaqin ultrabinafsha va infraqizil diapazondagi signallar fotodetektorini yaratish;
-Mo, Ta, Gd elementlari bilan legirlangan n- va p- tipli kremniy plyonkalari va metall oksidi asosidagi nanokompozit birikmalar asosidagi strukturadan spektrning keng sohadagi (350÷1450)nm sezgir fotodetektorlarni yaratish;
-Keng sohali n- tipdagi shaffof oksidli SnO2, In2,O3, ITO, CdO, MoO3 yupqa qatlamlar asosida gaz tashish uslubidagi texnologiyada olingan kadmiy tellur va uning uchlamchi birikmalari bilan fotosezgir diod qurilmalarini olish;
-Shottki to‘siqli datchiklardan ko‘rsatkichlarga, ishga tushirish moslamalariga signallarni qayta ishlash, tahlil qilish va taqqoslash uchun mo‘ljallangan markaziy mikroprosessorli elektron blokning sxemasi va dasturini ishlab chiqish.
Muzafarova Sultanpasha Anvarovna
Ilmiy daraja:
Email: samusu@rambler.ru
-kimyoviy molekulalar dastalaridan olish usuli va gaz tashuvchi transport usullarida yarimo‘tkazgichli turli 2 ta, 3 ta va ko‘p komponentali birikmalar strukturalarini o‘stirish bo‘yicha alohida texnologik qurilma yaratildi;
-vodorod oqimida gazni tashish reaksiyasi, magnetron ionlarini purkash va vakuumda uchirish usullari bilan optimal chiqish parametrlariga ega polikristall CdTe plyonkalarini olish texnologiyasi ishlab chiqildi;
-Shottki, MDP, PDP, MOP, CdTe/CdS geterostrukturalari kabi bir qator fotoqabulgich strukturalarni shakllantirish uchun talab qilingan parametrlarga ega mukammal CdTe plyonkalarini yaratishning texnologik parametrlari optimallashtirildi;
-quyosh radiatsiyasining fotosensitivligi va SnO2/pCdTe, In2O3/p-CdTe fotovoltaik issiqlik parametrlarining keng doirasini qamrab oluvchi SnO2/CdTe tipidagi polikristalli kadmiy tellurid, ITO/p-CdTe, CdO/CdTe asosida tashqi ta’sirlarga chidamli PDP strukturalarini yaratish imkoniyati yaratildi;
-polikristall plyonka CdTe va oksidlanish bilan boyitilgan Te atomlari hosil bo‘lgan yuqori elektrod orasidagi interfeysda dilektrik qatlamini olish rejimlari TeO2 - oksid qatlami CdTe plyonkalar cho‘kma paytida metall oksidlari asosida keng man etilgan soxali shaffof qatlamlar SnO2, In2O3, ITO, CdO olindi;
-Shottki to‘sig‘i, MDP, PDP va geterostruktura CdTe/CdS quyosh elementlarini γ – nuri bilan ta’sirida strukturalar interfeysida – yuqori qarshilikli oraliq qatlam d qalinligining kengayishi kuzatildi;
-yorug‘lik spektrining keng soxasi va ultrabinafsha soxasi uchun yaratilgan 2 va 3 komponentali birikmalar asosida selektiv diod qurilmalari yaratildi;
- qurilma asosida kimyoviy molekulalar dastalaridan olish usulida 3 va ko‘p komponentali CdSxZnS1-x, Sb2Se3, Cu2NiSnS4 birikma strukturalari o‘stirildi;
-CdSxZnS1-x, Sb2Se3, Cu2NiSnS4 plyonkalarini cho‘ktirish jarayonining texnologik parametrlari bilan ularning kristallofizik, morfologik, optik va elektrofizik xususiyatlari bilan bog‘liqlik o‘rnatildi;
- CdSxZnS1-x, Sb2Se3, Cu2NiSnS4 plyonkalari 0 ≤ x ≤ 1,0 oraliqlarning butun diapazonida bir qator uzluksiz qattiq eritmalar hosil qilishi aniqlandi;
-Tarkib diapazonida Sb2Se3, plyonkalari polikristalli ortorombik tuzilishga,
CdS1-xTex plyonkalari esa polikristal kubik tuzilishga ega ekanligi ko‘rsatildi;
-CdS1-xTex plyonkalarining o‘tkazuvchanlik turini plyonkalar tarkibiga qarab inversiyasi aniqlandi.
-1. Sh.B. Utamuradova, S.A. Muzafarova. Установка способ получения тонких плёнок CdTe в квазизамкнутом объеме // O‘zbekiston Respublikasi Adliya vazirligi foydali model patenti. FAP 2022 0427/4. Toshkent. 06.01.2023 y.
-2. Sh.B. Utamuradova, S.A. Rahmonov, S.A. Muzafarova, Z.M. Xusanov, F.A. Saparov. Haroratni nazorat qilish o'lchov asbobi tizimining kompleks dasturi // Elektron xisoblash mashinalari uchun yaratilgan dasturning rasmiy ro’xatdan o’tkazilganligi to’g’risidagi Guvohnoma №DGU 27702, 27.09.2023 y.
-3. X.S. Daliyev, Z.M. Xusanov. Kremniyga temir va vanadiy kirishma atomlarini diffuziya jarayonida taqsimotini hisoblash dasturi // Elektron xisoblash mashinalari uchun yaratilgan dasturning rasmiy ro’xatdan o’tkazilganligi to’g’risidagi Guvohnoma №DGU 23645, 20.02.2023 y.
-4. Ш.Б. Утамуратова, С.А. Музафарова. Свойства тонких фоточувствительных пленок теллурида кадмия и физико-технологические основы их получения, Монография, «Poligraf Super Servis» нашриёти, 2023, 625 б.
-5. Ш.Б. Утамуратова, С.А. Музафарова. Исследование свойств поликристаллических плёнок и фоточувствительных структур на основе теллурида кадмия, Монография, «Тошкент» нашриёти, 2023, 230 б.
-6. T.M. Razykov, J. Bekmirzoev, A. Bosio, B.A. Ergashev, D. Isakov, R. Khurramov, K.M. Kouchkarov, M.A. Makhmudov, A. Romeo, N. Romeo, M.S. Tivanov, Sh.B. Utamuradova, D.S. Bayko, L.S. Lyashenko, O.V. Korolik, A.A. Mavlonov. Structural and optical properties of SbxSey thin films obtained by chemical molecular beam deposition method from Sb and Se precursors // Solar Energy 2023, 254. pp. 67–72. https://doi.org/10.1016/j.solener.2023.03.010. (Scopus, Q1)
-7. T.M. Razykov, K.M. Kuchkarov, M.S. Tivanov, D.S. Bayko, L.S. Lyashenko, B. A. Ergashev, A. Mavlonov, A.N. Olimov, R. Khurramov, D.Z. Isakov, M. Pirimmatov, Characteristics of thin Sb2Se3 films obtained by the chemical molecular beam deposition method for thin-film solar cells // Thin Solid Films, 2023, 774. pp. 139844. https://doi.org/10.1016/j.tsf.2023.139844, (Scopus, Q2).
-8. T.M. Razykov, M.S. Tivanov, K.M. Kuchkarov, D.S. Bayko, I.A. Kaputskaya, R.T. Yuldoshov, A.N Olimov, Effect of the Sb/Se ratio on the structural and electrical properties of Sb2Se3 films // Applied Solar energy. 2023, №5. pp. 105-111.
-9. T.M. Razykov, M.S. Tivanov, K.M. Kuchkarov, R.T. Yuldoshov, R. Khurramov, S. Muzafarova, D.S. Bayko, Study of the structural and optical properties of thin SbXSeY films obtained at a substrate temperature of 400 0C // Applied Solar energy 2023, №6, pp. 145-121.
-10. Sh.Kh. Daliev, F.A. Saparov. On the properties of the Si-SiO2 transition layer in multilayer silicon structures // East Eur. J. Phys. 2023, №4, pp. 206. https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-4-25 (Web of Science & Scopus Q4)
-11. A.S. Achilov, Sh.B. Utamurodova, S.A. Muzafarova, R.R. Kabulov. Effect of temperature on the current transfer mechanism in the reverse I–V characteristics of the n-CdS/i-CdSxTe1−x/p-CdTe heterostructure // Modern Physics Letters B, 2023, №6, pp. 80-85. doi.org/10.1142/S0217984923501622
-12. Sh.B. Utamuradova, Kh. S. Daliev, S.A. Muzafarova, K.M. Fayzullaev. Effect of the diffusion of copper atoms in polycrystalline cdte films doped with pb atoms // East European Journal of Physics 2023, №3, pp. 385–390. DOI: https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-3 (Web of Science & Scopus Q4)
-13. Х.С. Далиев, Ш.Б. Утамурадова, З.М. Хусанов Изучение температурных свойств структур кремния легированного примесными атомами ванадия // Приборы. 2023. № 2 (272), стр. 25-28.
-14. X.S. Daliyev, Z.M. Khusanov Formation and study of the properties of the compound of iron disilicide in single-crystal silicon // World Journal of Engineering Research and Technology WJERT, 2023, Vol. 9, Issue 7, pp. 38-42.
-15. Т. М. Разыков, С. А. Музафарова, К. М. Кучкаров, М. С. Тиванов, Д. З. Исаков, З. Махмудов, М. Пиримметов, Д. С. Байко, Л. С. Ляшенко. морфологические свойства пленок твердого раствора Sb2 (Sx, Se1-x)3 для солнечных элементов // УФЖ. 2023, стр. 204-210.
Ushbu qurilma yordamida qo‘rg‘oshin eritish qozonidagi yuqori haroratni (⁓1600°C) doimiy ravishda monitoring qilib boriladi.
Qurilma asosida inert gaz tashish usulida CdTe, ZnCdTe va ZnxCd1-xS, ZnxCd1-xTe, Su2S-ZnxCd1-xS qattiq qotishmalar o‘stiriladi
Qurilma asosida kimyoviy molekulalar dastalaridan olish usulida 3 va ko‘p komponentali CdSxZnS1-x, Sb2Se3, Cu2NiSnS4 birikma strukturalari o‘stiriladi.
