- Yadroviy nurlanishlar ta'sirida turli xil materiallarning strukturaviy o‘zgarishlarini hamda ularning elektrofizikaviy xossalarini radiatsiyaga chidamlilik darajasini tadqiq qilish.
-Noyob yer elementlari bilan legirlangan monokristall kremniyni elektrofizikaviy va rekombinatsion parametrlarini hamda ularga gamma va issiq neytronlar ta'sirini tadqiq qilish.
-Yarimo‘tkazgichli materiallarni yangi universal kamerada protonlar bilan modifikatsiyalash uchun nurlantirishning optimal xarakteristikalarini (tok, barqarorlik) aniqlash.
- EG-2 tezlatgichning to‘g‘ri kanaliga o‘rnatilgan universal kamerada yarimo‘tkazgichli materiallarni protonlar dastasi yordamida nurlantirish natijasida ularning elektrofizikaviy xossalarini tadqiq qilish.
-EG-2 tezlatgichning to‘g‘ridan-to‘g‘ri kanalidagi universal kamerada nurlantirilayotgan yarimo‘tkazgichli namunalarning haroratini nazorat qilish metodikasi va tizimni ishlab chiqish.
Saydimov Yakubbay Atabaevich
Ilmiy daraja:
- Tezlashtirilgan protonlar yordamida nurlantirilayotgan namunalarning temperatura gradientini nazorat qilish maqsadida yangi qurilma ishlab chiqildi va shu asosida kremniy monokristalining (qalinligi 2 mm) temperatura gradienti o‘lchandi. Uning yuqori va pastki yuzasi orasidagi temperatura gradienti bir-biridan 3 marta farq qilishi aniqlandi.
-Turli markali kremniy namunalari EG-2 elektrostatik tezlatgichda 350-650 keV energiyaga ega bo‘lgan protonlar dastasi bilan nurlantirildi va ularning asosiy elektrofizik parametrlari va yuza morfologiyasiga bu nurlanishning ta'siri o‘rganildi.
-Diffuziya usuli yordamida nodir yer elementlarini (Tm va Tb), KEF-40 va KDB-20 markali kremniy monokristallariga legirlash natijasida namunalarning asosiy elektrofizik parametrlari va yuza morfologiyasining o‘zgarishi kuzatildi.
-O‘rtacha energiyasi 1,25 MeV bo‘lgan (60Co) γ-kvantlar bilan nurlantirilgan KEF-5 markali kremniy monokristallarining asosiy elektrofizik parametrlariga radiatsiyaning ta'siri o‘rganildi.
- EG-2 tezlatgichning to‘g‘ridan-to‘g‘ri kanalida yarimo‘tkazgich materiallarni tezlashtirilgan protonlar va alfa zarralar bilan modifikatsiya qilish va undagi tokni 10 marta oshirish maqsadida yangi universal kamera yaratildi.
- Yа.A. Saydimov, M. I. Mannanov, F.B. Umarov A.R. Turayev. Yarimo’tkazgichli Si
- Ya.A. Saidimov, R.F. Rumi, Z.M. Saparniyazova, F.A. Saparov. Determination of the temperature gradient of a monocrystalline silicon element // Science and Education in Karakalpakstan. 2022 №1/1, pp. 47-52.
-Я.А. Сайдимов, Ф.Б. Умаров. Исследование влияние ускоренных протонов на поверхностные параметры монокристаллического кремния // Международный научный журнал «Наука и Мир», 2023, № 2 (114), -С. 12-14.
- С.С. Насриддинов, А. Мавлянов, Д.М. Есбергенов, М.И. Маннанов. Создание технологической карты получения терморезистивных структур на основе компенсированного кремния // Международный научный журнал «Наука и Мир», 2023, № 2 (114), 45-50 стр.
- М.И. Маннанов. Термоанеметрический датчик на основе Si
- A.H. Kuldashev, Ya.A. Saidimov, M.I. Mannanov. The effect of accelerated protons on the electrophysical parameters of thermistors based on n-Si and n-Si // Web of Scientist: International Scientific Research Journal. 2023, Volume 4 , ISSUE 9, –pp. 14-18.
-S.Z. Zaynbidinov, A.P. Turaev, Sh.B. Ibragimov, D.B. Elmuradova, Y.A. Saydimov, F.A. Saparov. Effect of pressure on oxygen concentration in silicon single crystals. Technical science and innovation. Chemistry and chemical technology. Tashkent. 2023/1(15). pp. 5-14.
- Я.А. Сайдимов, Ф.Б. Умаров. Облучение монокристаллического кремния пучками протонов с энергией от 350 до 650 кэВ // Ўзбекистон миллий университети хабарлари. Ташкент. 2023 й, 3/1. 493-495 б.
- S.S. Nasriddinov, M.I. Mannanov. Ni va Cu atomlari bilan legirlangan kremniy asosida harorat datchiklar yaratishda mexanik va kimyoviy ishlov berish texnologiyasi // Farg‘ona politexnika instituti ilmiy-texnika jurnali. 2023. 27/3. 14-19 b.
- Ya.A. Saidimov, F.B. Umarov. Theoretical calculation of the Tm diffusion coefficient in Si // International Scientific Conference of Young Scientists "Science and Innovation". Tashkent, October 20, 2022. рр. 208-210.
-K.P. Abdurakhmanov, B.E. Egamberdiev, Sh.A. Sayfulloyev Creation of thin ion-implanted layers with cobalt atoms near the silicon surface // II-международной конференция «Фундаментальные и прикладные проблемы физики полупроводников, микро- и наноэлектроники».Ташкент, 2023 г., 27-28 октября, -С. 23-24.
-K.P. Abdurakhmanov, B.E. Egamberdiev, Sh.A.Sayfulloyev. Deposition of thin ion-implanted layers enriched with iron atoms on near surface layer of silicon // II-международной конференция «Фундаментальные и прикладные проблемы физики полупроводников, микро- и наноэлектроники». Ташкент, 2023 г., 27-28 октября, -С. 64-66.
- Я.А. Сайдимов, Ф.Б. Умаров. Исследование характеристик образцов Si
- Я.А. Сайдимов, Ф.Б. Умаров. Диффузия Tm и Tb в монокристалл кремния // Международная научная конференция молодых учёных «Наука и инновации»: сборник научных трудов. Ташкент, 2023 г., 19 октября, – С. 225-226.
- Я.А. Сайдимов, Ф.Б. Умаров. Изменение электрофизических параметров монокристаллического кремния под действием γ- квантов // II-международной конференция «Фундаментальные и прикладные проблемы физики полупроводников, микро- и наноэлектроники». Ташкент, 2023 г., 27-28 октября, -С. 255-256.
Elektrostatik tezlatgich “EG-2”
Ushbu qurilma yordamida yarimo‘tkazgichli materiallarni tezlashtirilgan proton va alfa zarrachalar yordamida nurlantirish mumkin
EG-2 elektrostatik tezlatgichning to‘g‘ridan-to‘g‘ri kanalida boshqa kanallarga nisbatan tokni 10 marta oshirishga erishish mumkin.
Universal kamerada 10-3-10-4 Pa bosim hosil qilish imkonini beradi.
Universal kameradagi bosimni doim nazorat qilib turish imkonini beradi.
